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AEG THYRO-S 1S400-100HRL1調(diào)功器

Funke&Huste SLD4 230VAC
GE 677484 EP101UCR C6
GeDi Technik DWS-1-200-FKM / VA
GEFRAN GFX4-IR-30-0-4-0-E-Z09
GEMU 650 15D1834 411T1 1500
Georg fischer ER52-1 DN10-DN50 199190305 250V 1P65
GF Signet 3-2725-60
GF Signet 3-2726-10
GF Signet 3-2760-11
GHISALBA GHOPC-410B AAV66870

KACOQHLP 40*50AGU01QHLP40-50AGU01密封圈O型密封圈德國(guó)原裝 

SchneiderK1SF217B6XS鑰匙開關(guān)

ElectroniconE62 F81-802D10 8µFE62.F81-802D10電容

SchneiderK1SF217B6XS鑰匙開關(guān)

 AEG3A 400-170 H RLP3

HS-Cooler KK10-BCV-423 L328冷卻器

honeywell 8LS14C限位開關(guān)

STAUFF     SFC-5710E濾芯

Clinical&DermD100采樣盤

KPMAqua-Boy TEM I+205+手柄+線+包

KPMAqua-Boy PMII+213+線+包

 ZF GE5 060 F47/154升級(jí)款0017-192換擋電磁閥

BD334224 5L/桶

BD340345 5L/桶

D-Squame   Pressure Instrument 1pcs/包

D-Squame Standard Sampling Disc 1000pcs/包

FLYGTENM-10（13M）浮球液位開關(guān)

TELWINspottr 5500

BD340345 5L清洗液

BD334224 5L關(guān)機(jī)液

BD342003 20L鞘液

 ZF GE5 060 F47/152升級(jí)款0017-190

ZF0017-192換擋器

Clinical&DermD500

VAL.COCOD.12.0004.0127壓力繼電器Valco 12.0004.0127 K4T.A.O.2.--.MX

BD 641776 BD  IntraSure試劑盒 50T

STAUFFSLWC-M60-1-B250NC-01-01-8-T70NC （老款：SLWC-M60-1-B250NC-01-01-1-T70NC）

TELWIN5800

KISTLER9313AA1 力傳感器

KISTLER5073A111 放大器

D-Squame D100 - D-Squame Standard Sampling Discs 22mm 1000pcs/包

prominent506270 水質(zhì)余氯檢測(cè)儀試劑（電解液）

MAHLELX 925/S濾芯

ACAMPT2G-SM5.3轉(zhuǎn)速傳感器

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。

3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率

當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。

4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT

在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí)，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。

5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM

在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上

AEG THYRO-S 1S400-100HRL1調(diào)功器