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羅德信號發(fā)生器SMU200A出售
產品簡介
詳細介紹
羅德信號發(fā)生器SMU200A出售
我公司有4臺SMU200A可以出售、可以出租
有兩端口3GHz 高配
也 有單端口3GHz
羅德信號發(fā)生器SMU200A出售
主要特點：
從100 kHz到2.2/3/4/6 GHz的一個射頻路徑
可選第二個射頻路徑，從100 kHz到2.2/3 GHz
多兩條完整的基帶路徑
支持3GPP LTE FDD和TDD、LTE Advanced、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/EDGE Evolution、TD-SCDMA、WLAN和所有其他重要的數字標準
可實現實時衰落的2×2 MIMO
2×4或4×2mimo可組合的兩個儀器
可選衰落模擬器，多40條衰落路徑
200mhz射頻帶寬I/Q調制器
可選基帶發(fā)生器與實時編碼器和任意波形發(fā)生器
出色的射頻性能
簡介：
R&S®SMU200A矢量信號發(fā)生器不僅在一個只有四個高度單元的機柜中組合了多達兩個獨立的信號發(fā)生器，還提供了的射頻和基帶特性。發(fā)電機的設計滿足了現代通信系統(tǒng)研發(fā)和生產中遇到的所有要求。
由于其模塊化設計，R&S®SMU200A可以佳地適應不同應用的要求。一個射頻路徑可配備四個可用頻率選項中的一個。用戶可選擇頻率上限2.2 GHz/3 GHz/4 GHz或6 GHz。此外，第二射頻路徑可以安裝在頻率上限為2.2 GHz和3 GHz的情況下。所有頻率選項的頻率下限為100 kHz。
基帶部分多可安裝兩個發(fā)電機。它們實時產生復雜的信號，并配備有一個任意波形發(fā)生器，其I和Q（512兆字節(jié)）的大簡單內存為128M。不同基帶中產生的信號可以相加。單個信號的頻率偏移是可能的。可選的內部衰落模擬器提供多達40條衰落路徑來模擬多徑傳播。
R&S®SMU200A可配備多種選項，例如，適用于當今所有重要的數字標準以及功能和性能增強，如MIMO衰落或相位相干性。有關所有可用選項的列表以及指向各個選項的詳細信息的鏈接，請參閱“訂購信息"。
R&S®SMU200A的現代、直觀的概念確保了快速、簡單的操作。
兩個信號發(fā)生器合一
1號射頻路徑的頻率選項從100 kHz到2.2/3/4/6 GHz
可選第二條射頻路徑，高可達2.2 GHz或3 GHz
多兩條完整的基帶路徑
數字域中基帶信號的無損組合（例如用于測試多標準基站）
zhuo越的信號質量
200mhz射頻帶寬I/Q調制器
極低的SSB相位噪聲。-135 dBc（f=1 GHz，20 kHz載波偏移，1 Hz測量帶寬），典型值。-139 dBc，具有增強的相位噪聲性能選項
典型的寬帶噪聲。-153 dBc（CW，f=1 GHz，>10 MHz載波偏移，1 Hz測量帶寬）
對于3GPP FDD來說，典型的+70 dB的ACLR非常出色
0.05分貝的*水平重復性
標準高穩(wěn)定性參考振蕩器
輸出功率高達19 dBm+26 dBm
的靈活性
2 x 2 MIMO，可實現實時衰落
2 x 4或4 x 2 MIMO可組合兩個儀器
可選衰落模擬器，多40條衰落路徑
支持EUTRA/LTE FDD和TDD信號生成
支持WiMAX™ IEEE 802.16-2004/Corr1-2005、802.16e-2005和WiBro
支持HSDPA和HSUPA的3GPP-FDD四個實時碼道
每幀有一個幀和一個幀的相同的幀速率
用于實時信號產生的通用編碼器基帶發(fā)生器
16、64、128任意波形發(fā)生器
R&S®WinIQSIM2支持的任意波形發(fā)生器™ 和R&S®WinIQSIM™ 仿真軟件
直觀操作
800×600像素彩色顯示器（SVGA格式）
直觀的用戶界面和圖形化的信號流顯示（框圖）
通過內置瞬態(tài)記錄儀顯示基帶信號
上下文相關幫助系統(tǒng)
非常適合生產
頻率和電平設置時間非常短（<2 ms）；列表模式下只有450µs
全電平范圍內高達6GHz的電子衰減器
射頻列表模式和多段波形的靈活高速測量
兩臺完整發(fā)電機安裝在一臺只有四個高度單元的儀表中時所需的小空間
連通性
可選數字I/Q輸入和輸出；支持R&S®EX IQ Box，用于靈活的數據格式和時鐘生成
支持R&S®NRP功率傳感器
通過LAN（千兆以太網，VXI11）和GPIB進行遠程控制
通過Windows遠程桌面或VNC進行遠程操作
用戶可選擇的觸發(fā)和標記信號
用于鍵盤、鼠標和記憶棒的USB接口
LXI C類合規(guī)性
Frequency | ||
|---|---|---|
Frequency range RF path A | 100 kHz to 3GHz | |
Frequency range RF path B | 100 kHz to 3 GHz | |
Setting time | SCPI mode | <2 ms, typ. 1.5 ms |
Level | ||
Maximum level (standard) | f≤3 GHz | +13 dBm (PEP) |
Maximum level (with high-power option) | f≤3 GHz | +19 dBm (PEP) |
Setting time | SCPI mode | <2 ms, typ. 1.5 ms |