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[供應]S100/S200/S300-微電子器件與材料實驗用數字源表
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  • S100/S200/S300-微電子器件與材料實驗用數字源表
貨物所在地:
湖北武漢市
產地:
湖北武漢
更新時間:
2025-07-08 13:54:31
有效期:
2025年7月8日 -- 2026年7月8日
已獲點擊:
277
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產品簡介

微電子器件與材料實驗用數字源表認準生產廠家普賽斯儀表,普賽斯數字源表國產自主研發,性價比高,測試范圍更廣,輸出電壓高達300V,支持USB存儲,一鍵導出報告,符合大環境下國內技術自給的需求,可及時與客戶溝通,為客戶提供高性價比系統解決方案,及時指導客戶編程,加速測試系統開發

詳細介紹

本科生微電子器件及材料實驗目的
通過實驗動手操作,加深對半導體物理理論知識的理解,掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,培養分析問題和解決問題的能力。

本科生微電子器件及材料實驗目錄
實驗一:金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二:四探針法測量半導體電阻率測試實驗
實驗三: MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四:半導體霍爾效應測試實驗實驗
實驗五:激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六:太陽能電池的特性表征實驗

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優勢
滿足本科生基礎教學實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設備簡單易用,專業權W方便學生動手操作
核心設備測試精度高,滿足新材料和新器件的指標要求
測試軟件功能齊全,平臺化設計,有專人維護支持,與專業測試軟件使用相同架構
以基礎平臺為起點,可逐步升級,滿足日益增加的實驗室測試需求

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能

實驗名稱

測試參數

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性的IV特性測試實驗

  • 輸出特性曲線
  • 轉移特性曲線
  • 跨導gm
  • 擊穿電壓BVDS
  •  

四探針法測量半導體電阻率測試實驗

 

  • 四探針法電阻率ρ
  • 材料阻值R

MOS電容的CV特性測試實驗(低頻 + 高頻)

  • CV特性曲線

半導體霍爾效應測試實驗

  • 霍爾電壓VH
  • 霍爾電阻率ρ
  • 霍爾系數RH
  • 載流子濃度n
  • 霍爾遷移率u

 

激光二極管LDLIV特性測試

 

  • LIV特性曲線
  • 閾值電流Ith
  • 閾值電流對應電壓值Vth
  • 拐點Kink
  • 線性電阻Rs

太陽能電池的特性表征

 

  • 開路電壓Voc
  • 短路電流Isc
  • 功率*值Pmax
  • 填充因子FF
  • 轉換效率η
  • 串聯電阻Rs
  • 旁路電阻Rsh
 

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心

測試平臺的核心– 源測量單元(源表, SMU)

微電子器件與材料實驗用數字源表認準生產廠家普賽斯儀表,普賽斯國產源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足*器件和材料測試需求

交流測試使用LCR表

 

探針臺:4寸或6寸手動探針臺

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