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  • S系列-源表搭建半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
貨物所在地:
湖北武漢市
產(chǎn)地:
湖北武漢
更新時(shí)間:
2025-07-08 13:55:02
有效期:
2025年7月8日 -- 2025年10月8日
已獲點(diǎn)擊:
311
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源表搭建半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本 I-V 特性參數(shù),并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個(gè)階段都有應(yīng)用,如金屬

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ),通常使用 I-V 特性分析或 I-V 曲線來決定器件的基本參數(shù)。

 

源表搭建半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本 I-V 特性參數(shù),并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個(gè)階段都有應(yīng)用,如金屬互連,鍍層階段,芯片封裝后的測(cè)試等。

 

普賽斯儀表 開發(fā)的半導(dǎo)體分立器件 I-V 特性測(cè)試方案,由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元( SMU )、夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口 MOSFET 器件為例,配套以下設(shè)備:

兩臺(tái) S 型數(shù)字源表

四根三同軸電纜

夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)

三同軸 T 型頭

?

 

 

需要測(cè)試的參數(shù):
輸出特性曲線

轉(zhuǎn)移特性曲線

跨導(dǎo) gm

擊穿電壓 BVDS

需要儀器列表:
SMU 源表

探針臺(tái)或夾具

普賽斯上位機(jī)軟件

 

高校相關(guān)專業(yè)
測(cè)控,微電子

電氣,自動(dòng)化,機(jī)械

所有開設(shè)模擬電路課程的專業(yè)

 

 

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