榆林亞德客HRQ回轉氣缸辦事處
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為進一步評價彭水區塊頁巖氣資源潛力，落實頁巖氣單井產量，探索水平井鉆井工藝技術的適應性，石化華東石油局近期在該區塊開展了相關試驗和研究，先后鉆成彭頁HF1井等4口水平井，取得了良好的勘探開發效果，對頁巖氣水平井鉆井完井有了更深入的認識。筆者結合4口井的鉆井實踐，分析探討了彭水區塊頁巖氣水平井鉆井關鍵技術。鉆井概況截至目前，彭水區塊已鉆成彭頁HF1井、彭頁2HF井、彭頁3HF井和彭頁4HF井等4口水平井，其中彭頁HF1井為側鉆水平井。井均采用三開井身結構，主要目的層均為志留系的龍馬溪組。為了防止上部灰巖井段出現井漏等復雜情況，并有效提高機械鉆速，彭頁2HF井、彭頁4HF井一開和彭頁2HF井、彭頁3HF井、彭頁4HF井二開均采用了氣體鉆井技術。彭頁3HF井在一開鉆進中，由于地層出水量較大，采用了常規鉆井。在井眼軌跡控制方面，彭頁HF1井、彭頁3HF井和彭頁4HF井都采用了旋轉導向鉆井技術，彭頁2HF井采用了地質導向鉆井技術。井都使用了油基鉆井液鉆進目的層井段，其中彭頁2HF井和彭頁3HF井使用了國產油基鉆井液。井固井均采用了高性能彈性水泥漿體系，保證了固井質量，滿足了后期壓裂的需求。在三開鉆進中，4口井均出現了不同程度的井漏，油基鉆井液漏失量較大，造成了較大的經濟損失。關鍵技術及應用效果分析2.1氣體鉆井技術彭水區塊上部三疊系、二疊系地層灰巖發育，漏失嚴重，前期在大冶組、吳家坪組等上部地層鉆遇溶洞性漏失，鉆井液失返，使用投石子、注水泥、狄賽爾堵漏等多種方法都效果不佳，如彭頁1井（彭頁HF1井的導眼井）堵漏耗時長達75d；該地層可鉆性差，鉆頭選擇困難，造成鉆井施工投入高，機械鉆速和生產時效很低，周期長、難度大、風險大；另外，彭水區塊韓家店組和小河壩組地層造斜能力*，前期鉆井過程中，鉆至該地層井斜角難以控制，其中彭頁1井的井斜角達到16.1，完鉆時井底位移達24.m。
亞德客（中圖）有限公司*代理商-西安辦事處是專業氣動器材供貨商/生產商AIRTAC亞德客總代理商。
公司目前主營產品有亞德客氣缸、亞德客氣動、亞德客電磁閥、標準電磁閥、標準氣缸、水閥、氣源處理元件、磁性開關、快速接頭、PU氣管等AIRTAC亞德客全系氣動元件產品，產品齊全，*，報價實惠，支持定制。我公司產品廣泛地應用于：汽車、機械制造、冶金、電子技術、環保處理、輕工紡織、陶瓷、器械、食品包裝等自動化工業領域。
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VOCs按化學結構可以進一步分為烷烴類、芳烴類、酯類、醛類等，目前已鑒定出的有3余種。目前，對有機廢氣回收處理的方法主要有冷凝法、吸收法、吸附法[3，4]和膜分離技術等。其中，吸附法具有方法簡單、環保、效率較高等優點，是常用的處理有機廢氣的方法。而隨著新型吸附材料活性碳纖維的開發利用和改良，吸附法的應用將會更加廣泛。活性碳纖維具有很大的比表面和豐富的微孔，孔徑分布窄，比顆粒活性炭(G：C)有很更大的吸附容量和更快的吸附、脫附速率[5，6]，適用于低濃度范圍的污染氣體吸附，且可再生，屬于環保型吸附材料。
亞德客SU系列亞德客標準氣缸產品特性：
1、本企業標準氣缸
2、活塞密封采用異型雙向密封結構，尺寸緊湊，有儲油功能；
3、為鋁管米字型，無拉桿，防腐性能好；
4、與ISO15552標準氣缸相比，同缸徑SU系列氣缸長度小；
5、氣缸緩沖調節平穩；
6、氣缸安裝附件與SC系列氣缸共用；
7、選擇耐高溫密封材料，可保證氣缸在150℃條件下正常工作。

今天小編帶你看看科研人員如何去除管網內壁的生物膜；了解減少管道漏損的智能技術；還有用什么來監測廢水中的，來減少有毒物質的存在。去除管網內壁生物膜的措施供水系統管路內經常會生長生物菌群，它可以附著在儲水池、配水管網、終端用戶的水和淋浴噴頭內。不像在污水處理過程中，生物菌群是非常重要的角色，在管道系統內，它可是不受歡迎的。它會導致管道內殘余的消毒劑被消耗，并且容易使管壁發生腐蝕。
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亞德客SU系列標準氣缸的安裝與使用：
1、 工作中負載有變化時,應選用輸出力充裕的氣缸;
2、 在高溫或者腐蝕性條件下,應選用相應的耐高溫或耐腐蝕性氣缸;
3、 在濕度大,粉塵多,或者有水滴、油塵、焊渣的場合,氣缸應採取必要的防護措施;
4、 氣缸接入管道前,必須清除管道內臟物,防止雜物進入氣缸內;
5、 氣缸使用介質應經過40um以上濾芯過濾后方可使用;
6、 在低溫環境下,應採取抗凍措施,防止系統中的水分凍結;
7、 氣缸使用前應經空載試運轉,運轉前將緩慢調至,逐步放松,以免產生過大沖擊力而損傷氣缸;
8、 氣缸在工作過程中應盡可能避免受側向載荷,以維持氣缸的正常工作和延長使用壽命;
9、 氣缸拆下長時間不使用,要注意表面防銹,進排氣口應加防塵堵塞帽。

NF-NiS2TEM圖像，插圖為HRTEM圖像。NF-NiS2XRD圖譜。NF-NiS2拉曼光譜。.NF-NiS2的電化學活化過程及電催化析氫性能用計時電位法對NF-NiS2進行電化學活化，電流密度為2m：/cm2。插圖為NF-NiS2在第1次測得的線性掃描伏安曲線（LSV），掃描速度為1mV/s。KOH溶液中NF-Ni(OH)NF-NiSNF-NiS2-：、Pt/C經IR補償的極化曲線，掃描速度為1mV/s。