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原位研究具有垂直排列層和高溫穩定性的二維WS2的受控生長
層狀過渡金屬二硫化物（LTMDs）由于其出色的物理和化學特性使其在光電、催化和復合材料等領域具有潛在的應用價值，引起人們的廣泛關注。
LTMDs晶體上通常存在兩種類型的表面位點：在基面上的階地位點和在側表面上的邊緣位點。由于各向異性鍵合和使表面能小化的趨勢，LTMDs通常表現出水平取向的形態，以小的懸空鍵將基面暴露為終止表面。近，有研究已經開發出新的一類LTMDs，二維（2D）分子層垂直組裝以優選暴露邊緣位點而不是階地位點。由于邊緣位點上暴露的懸空鍵的化學反應性增強，垂直排列的LTMDs在許多重要的催化反應（如加氫脫硫和析氫反應（HER））中顯示出巨大的潛力，這些材料可能是HER等反應中貴金屬催化劑（如Pt）的替代物。
為了獲得其優異的性能，控制其生長行為并了解其生長機理至關重要。之前的研究更多致力于通過快速硫化Mo或W膜來制備垂直定向的LTMDs。但是，很少有報道通過前驅體分解來控制垂直排列的LTMDs的生長。此外，也很少有研究集中在垂直排列的LTMDs的生長機理和高溫穩定性上。
近日，來自華中科技大學的高義華團隊張智課題組在Nano Energy上發表了題為“In situ TEM observation of controlled growth of two-dimensional WS2 with vertically aligned layers and high-temperature stability”的文章。該團隊利用透射電子顯微鏡與DENSsolutions原位雙傾加熱/加電樣品系統結合，通過、穩定控制體系溫度，在TEM中對固體前驅體K2WS4進行原位加熱，觀察到了垂直排列的WS2層的后續結晶行為和生長動力學，發現垂直排列的WS2層的生長采用混合生長模式，且垂直排列的WS2層在900°C的高溫下，加熱3小時仍顯示出很高的穩定性。另外，根據實驗結果和理論計算表明，K元素在垂直排列的WS2的生長和進化中起著至關重要的作用。
作者整個實驗過程均在DENSsolutions原位雙傾加熱/加電樣品系統內完成，通過程序升溫研究生長過程，并在高達900℃下恒溫3小時研究生成物的高溫穩定性。而穩定的加熱控制，極低的漂移率保證了高分辨圖像的獲取。
該項研究為垂直排列的LTMDs材料的生長機理提供了基本的依據，這有助于對具有優化結構的材料進行定制設計和制造，以實現其優異的性能。
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