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IOP Science：分子束外延生長PbTe納米線
主要內容
量子技術的進步來自于發現提高電子器件性能和功能的新材料系統。碲化鉛（PbTe）是IV–VI材料家族的一員，擁有可探索的未知潛力。由于其高電子遷移率、強自旋軌道耦合和超高介電常數，它可以容納少量電子量子點和彈道量子線，并有機會控制電子自旋和其他量子自由度。
在這篇文章中，研究團隊報道了如何通過分子束外延制備PbTe納米線。實現了適用于量子器件的無缺陷單晶PbTe，具有高達50的縱橫比。此外，通過制造單個納米線場效應晶體管實現了雙極傳輸，提取帶隙并觀察電導的Fabry–P′erot振蕩及準彈道傳輸的特征。
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文獻信息
Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy
Sander G Schellingerhout, Eline J de Jong, Maksim Gomanko, Xin Guan, Yifan Jiang, Max S M Hoskam, Jason Jung, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, Marcel A Verheijen, Sergey M Frolov and Erik P A M Bakkers