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三硒化錳（磷摻雜）晶體，MnPSe3MnPSe3是一種由錳（Mn）、磷（P）和硒（Se）元素組成的化合物，屬于二維層狀材料。這種化合物具有二維晶體結構。摻雜可用...

MnBi4Te7晶體，磁性拓撲絕緣體MnBi4Te7是一種由錳（Mn）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，通常表現為層狀結構的晶體材料。這種化合物屬于多鐵...

MnBi4Se7晶體，磁性拓撲絕緣體MnBi4Se7是一種由錳（Mn）、鉍（Bi）和硒（Se）元素組成的化合物，通常呈現出層狀結構的晶體材料。這種化合物屬于多鐵...

Mn2Bi2Te5晶體，磁性拓撲絕緣體Mn2Bi2Te5是一種由錳（Mn）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，也屬于層狀熱電材料的一種。類似于Mn2Bi2...

Mn2Bi2Se5晶體，磁性拓撲絕緣體Mn2Bi2Se5是一種多元化合物，由錳（Mn）、鉍（Bi）和硒（Se）元素組成，屬于層狀熱電材料的一種。它擁有拓撲絕緣體...

InSiTe3晶體，半導體InSiTe3代表一種由銦（In）、硅（Si）和碲（Te）元素組成的化合物。這種化合物屬于層狀化合物，具有晶體結構。InSiTe3是一...

InSb晶體，拓撲絕緣體InSb是一種重要的半導體材料，由銦（In）和銻（Sb）元素組成。它擁有銻化銦的晶體結構，屬于III-V族化合物半導體。InSb在電子學...

InBi晶體，拓撲絕緣體InBi是銦鉍化合物，是由銦（In）和鉍（Bi）元素組成的化合物。它通常是一種半導體材料，具有晶體結構和物理性質。拓撲絕緣體是一種量子材...

In3SbTe2晶體，相變材料In3SbTe2是由銦（In）、銻（Sb）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于銦銻碲族化合物。這種化合物可能具有層狀的結構，并且可能...

In2Te5晶體，拓撲材料In2Te5是由銦（In）和碲（Te）元素組成的化合物，具有層狀結構。這種化合物可能顯示出一些電學、光學或磁學性質，因其層狀結構，可能...

In2P3Se9晶體，拓撲材料In2P3Se9是一種由銦（In）、磷（P）和硒（Se）元素組成的化合物。In2P3Se9可能具有晶體結構和性質，可能在半導體領域...

In2GaBi2S6晶體，拓撲材料In2GaBi2S6是由銦（In）、鎵（Ga）、鉍（Bi）和硫（S）元素組成的化合物。這種化合物可能具有晶體結構和性質。由于其...

HgPSe3晶體，拓撲絕緣體HgPSe3代表的是由汞（Mercury，Hg）、磷（Phosphorus，P）和硒（Selenium，Se）元素組成的化合物。這種...

HfS3晶體，拓撲絕緣體HfS3代表的是由鉿（Hafnium，Hf）和硫（Sulfur，S）元素組成的化合物。它可能具有層狀的結構，類似于其他硫化物和層狀材料。

GeSb4Te7晶體，拓撲絕緣體GeSb4Te7是一種由鍺（Ge）、銻（Sb）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于銻碲族化合物。這種化合物屬于相變材料，具有重要的...

GeBi4Te7晶體，拓撲絕緣體GeBi4Te7是一種由鍺（Ge）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于鉍碲族化合物。這種化合物在研究中顯示出多鐵性質，...

GeBi2Te4晶體，拓撲絕緣體，紅外材料GeBi2Te4是一種由鍺（Ge）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于鉍碲族化合物。這種化合物屬于拓撲絕緣體...

GaGeTe晶體，拓撲絕緣體，半導體GaGeTe是由鎵（Ga）、鍺（Ge）和碲（Te）元素組成的化合物。這種化合物可能具有半導體或者拓撲絕緣體的性質，具體取決于...

CuInS2晶體，拓撲材料CuInS2是一種由銅（Cu）、銦（In）和硫（S）元素組成的化合物，屬于硫化物材料。這種化合物具有半導體性質，通常呈現為多晶體或薄膜...

CuInP2Se6晶體，拓撲材料，半導體CuInP2Se6是一種由銅（Cu）、銦（In）、磷（P）、硒（Se）元素組成的化合物，通常表現為層狀結構的晶體材料。這...