PCL納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm-昊然

靜電紡絲技術(shù)是目前制備納米纖維重要的基本方法。這一技術(shù)的核心是使帶電荷的高分子溶液或熔體在靜電場中流動并發(fā)生形變,然后經(jīng)溶劑蒸發(fā)或熔體冷卻而固化，于是得到纖維狀物質(zhì)，這一過程簡稱電紡。

PCL納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm-昊然

PCL納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm（網(wǎng)格空隙：400um）

通過蒸汽刻蝕法對靜電紡絲制備的納米纖維膜進(jìn)行刻蝕,使微米相纖維產(chǎn)生納米級的觸角,成功制備疏水性聚己內(nèi)酯(PCL)納米纖維膜.同時研究了溶劑配比,刻蝕時間等因素對PCL納米纖維膜刻蝕結(jié)果的影響規(guī)律.通過掃描電子顯微鏡(SEM),接觸角測量儀分析不同條件對纖維膜表面形貌及其疏水性的影響.

PLGA納米纖維網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：200um）

PLGA納米纖維網(wǎng)格膜片300nm（厚度：1000um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：400um）

PLGA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片150nm（網(wǎng)格空隙：200um）

PLGA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm（網(wǎng)格空隙：400um）

PLGA納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（孔數(shù)：6/12/24/48/96）（網(wǎng)格空隙：200um）

PLA納米纖維網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：200um）

PLA納米纖維網(wǎng)格膜片300nm（厚度：1000um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：400um）

PLA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片150nm（網(wǎng)格空隙：200um）

PLA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm（網(wǎng)格空隙：400um）

PLA納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（孔數(shù)：6/12/24/48/96）（網(wǎng)格空隙：200um）

PCL納米纖維網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：200um）

PCL納米纖維網(wǎng)格膜片300nm（厚度：1000um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：400um）

PCL納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片150nm（網(wǎng)格空隙：200um）

溫馨提示：以上產(chǎn)品僅用于科研，不用于人體（ZN2021.07）