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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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CuBi3PbS6晶體，拓撲絕緣體
材料名稱：CuBi3PbS6晶體
性質分類：拓撲絕緣體
禁帶寬度：0.622eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：中
CuBi3PbS6晶體，拓撲絕緣體
CuBi3PbS6是一種由銅（Cu）、鉍（Bi）、鉛（Pb）和硫（S）元素組成的化合物，通常表現為層狀結構的晶體材料。
這種化合物可能屬于半導體材料的一種，其層狀結構和化學組成可能導致其具有一些電學和光學性質。對于CuBi3PbS6的研究可能涉及對其晶體結構、電學性質、光學特性以及其他物理特性的探索。
這類材料的研究對于半導體器件、光電傳感器和其他電子器件的發(fā)展可能具有一定的意義。然而，關于CuBi3PbS6晶體的詳細信息和其在實際應用中的潛在價值，可能需要更深入的研究和實驗驗證。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.
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