溫度的改變對半導體的導電能力、極限電壓、極限電流以及開關特性等都有很大的影響。半導體芯片上的元器件分布很密，元器件之間空間非常小，當溫度過高時，元器件體積發生膨脹、擠壓，半導體芯片可能因為擠壓產生裂紋報廢。若溫度太高，集成電路在工作的時候過熱激發高能載流子會增大晶體管被擊穿短路的概率；晶體管性能隨溫度會發生變化，高溫會使部分電路因為性能變化無法正常工作；高溫提高電遷移導致導線工作壽命下降。如果溫度過低，往往會造成芯片在額定工作電壓下無法打開其內部的半導體開關，導致其不能正常工作。

所以，芯片在生產過程中，需要對其進行冷熱沖擊試驗。一般情況下，民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃，軍*芯片性能更高，正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍，當芯片不工作時，可以承受超過 200℃ 的焊接溫度。

半導體芯片的冷熱沖擊試驗

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