美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準確評估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動物模型和 2D 細胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號。

 3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項新技術(shù)將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

靈活的細胞力－電環(huán)境：

牽張刺激牽張耦合電刺激記錄、電刺激記錄分析耗材、配件

可牽張多通道微電極特性：

．柔性， 可拉伸， 軟(Flexible, Stretchable and Soft)

．記錄和剌激電生理活動(Recording and Stimulation of Electrophysiological Activity)

．機城力方面強大：拉伸， 彎曲， 扭曲（Mechanically robust: stretch, bend, twist)

微裂紋金膜提供了理想的性能組合：

．低電阻(low electrical impedance)

．彈性可拉伸(elastically stretchable)

．低彈性模量(low elastic modulus)

．低疲勞(low fatigue)

細胞、 組織拉伸模塊：對細胞進行牽張刺激加載

＊支持雙軸和單軸拉伸兩種模式

＊可快速沖擊損傷拉伸或周期性拉伸

＊連續(xù)可調(diào)的牽張率和頻率

＊可以偶聯(lián)成像和電生理模塊

＊實時生成應(yīng)變曲線（徑向，線性， 自定義）

＊自定義應(yīng)變場

＊應(yīng)變速率高達80 Is ＊高達so％的應(yīng)變＊任何拉伸圖案

＊高重復(fù)性

＊在培養(yǎng)箱中使用