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上海荊戈工業(yè)控制設(shè)備有限公司
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歐美原廠供應(yīng)品牌 Graff

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產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地上海市

更新時間:2022-08-24 20:13:49瀏覽次數(shù):282次

聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)
應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池
德國graff直以來致力于國內(nèi)外的代理銷售,以傳動控制、工業(yè)自動化、儀器儀表、低壓配電為主導(dǎo)產(chǎn)品,具有雄厚技術(shù)力量的現(xiàn)代化高新民營企業(yè)。現(xiàn)有20余名工業(yè)自動化經(jīng)驗豐富的銷售人員,其中大專學(xué)歷的員工占80%以上。有溫度傳感器,位移傳感器等。
歐美原廠供應(yīng)品牌 Graff

 歐美原廠供應(yīng)品牌  Graff

  上海 荊戈 是致力于為中國大陸廣大客戶提供一站式歐美原產(chǎn)工控機電設(shè)備,儀器儀表,備品備件的采購供應(yīng)商。

公司立足上海,輻射*。總部位于歐洲航空中心德國法蘭克福,海外直購,源頭采購,杜絕國內(nèi)代理、辦事處、經(jīng)銷商的層層加價,給您一手的優(yōu)惠報價,而且通過拼單發(fā)貨,并與優(yōu)秀國際物流服務(wù)商攜手合作,保證貨期的準(zhǔn)確與快速,我們和國外已與歐洲眾多廠商達成合作,對于國內(nèi)不易尋找的品牌產(chǎn)品,Dagger德國總部將發(fā)揮本地優(yōu)勢,幫您采購到!

品牌介紹:


 德國graff直以來致力于國內(nèi)外的代理銷售,以傳動控制、工業(yè)自動化、儀器儀表、低壓配電為主導(dǎo)產(chǎn)品,具有雄厚技術(shù)力量的現(xiàn)代化高新民營企業(yè)。現(xiàn)有20余名工業(yè)自動化經(jīng)驗豐富的銷售人員,其中大專學(xué)歷的員工占80%以上。有溫度傳感器,位移傳感器等



平均貨期:6-8周:


型號示例:

GraffArticle:122969; Details:HLP 12,5X153/140 800W 230V G500EA90

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Graff GmbH102381 GF-7140.1.3-L.10.90.82.BK.400°C

GraffGF-7132.1.EL=160.NL=200.0.82. BK.150°C

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Graff101661 ZH205 180X60 110V 900W A=500 ZG 190887 1EN3780 000 0

GraffGF 7132 581273

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Graff122544 HLP 12,5X153/113 800W 110V G500 1908855-000-00

Graff102319 GF-7124.1.P.7.35.G.350.GL-GL. A/20.350°C

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Graff122969 HLP 12,5X153/140 800W 230V G500 E A90° 8362823-00-00

Graff122544 HLP 12,5X153/113 800W 110V G500 1908855-000-00

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GraffPT100 7131.1.4 - 1.15000.A.400.15M

FLENDER-GRAFFENSTADEN05 C630 C3 H.S. BEARING

FLENDER-GRAFFENSTADEN05 D282 F3 H.S.BEARING

FLENDER-GRAFFENSTADEN05 D283 F3 H.S.BEARING

GraffGF-7140.2.4-L.10.35.82.BK.400??C

GraffDTAI-1E2-THJ-12A-B20Z-S1-F9-R-W-6P-000

GraffDAI-1E2-12A-B20Z-S1-F9-R-W-6P-000

Graff7043.1.FK.DD.0.120.162.W.1000.D

GraffArt Nr:119261

GraffGF7132??528326;1 Pt 100/B/3 ??DIN EN 60751 ??ET 295mm??229123??-50+400c ??2904

Graffype GF-8100.1.3-L.9.D.400.NL=530.82.BKMU, Order no:8100.1.9.0028, ??-50...400~C??; 1 x Pt 100 Ohm 3-wire circuit; connection head form B; transmitter ??-50 - 400 ~C ??= 4 - 20 mA screw thread G 1/2"; sheath tube ?? 9 x 1 ram; material: 1.4571 fitting leng

graffGF7140??2PT100/B/4??ET35MM,0-+400??521613.10

graffGF7140??2PT100/B/4??ET80MM,-50-+400??520991.10

Graff1XPT100/B/3

Graff122544 HLP 12,5X153/113 800W 110V G500 1908855-000-00

Graff GmbHGF7050.1.FK-J.I250 

GRAFFM37412134

Graff GmbH8102.1.3-L.10.D

GRAFF7132 1xPt100/B/2 ET160mm -50+150C 83106 SE59084 GRAFF GMBH EL130300 DIN EN 60751 NL 200mm

GRAFFGF7132/58132625

graffGF 7132

Graff7143??2*PT100/B/4??DIN EN60751??185413

GRAFF214444 2xPt100/B/4

Graff GmbH58132636 GF-7132 PT100 EF350mm 6932546

Graff122544 HLP 12,5X153/113 800W 110V G500 1908855-000-00

GRAFFtype GF-7027/7050.2.NC.i.6.600.NL=650.82.DANWMU 0-600~C

Graff GmbHKA-04-01-01070

GRAFF7112.1.3??L.8.P.25.VK-14.15000.A.400

GRAFF8101 2XPt100/B/3 ET100mm 28888

Graff GF-7112.1.4-L.8W.VK-17-6000.A.400?? 0-400?? AS=6M Nr.102717 

GRAFF226238/ 7124-7-35-2000

graff type GF-8100.2.3-L.9.D.3.M3.82.DANW.MU 0-400~C; 2 x Pt 100 Ohm

GRAFFGF 8100 2PT 100/B/3 ET 400MM NL 520MM 0-400?? 4-20ma 1799

GraffFEP-D=6/L=5000_

Graff GF-7132 1Pt100/B/3 A003-204-20 GF 

GRAFF 115790 122544 12.5D 153L 110V 800W

GRAFFZH05-00E ??180*60mm 110v 900w

GraffGF-7140.1.3-L.8.50.82.3000.A.400??C

GRAFFGF-7112.1.3-L.6.P.TH-44-8-32

GRAFF537500 Pt100 -50-400??

GRAFF7034.1.FK-L.I.8.P.200.43*30.3000.A.400??

GRAFFGF.7112-1-1/3.DIN.4-L.6.W500.VK14.12000.A400??C or STS-112-2-1-2-0-2-0-12000-0-1

GRAFFGF.7131.1.4-L.12000.A.400C?? or NTS-106-2-1-2-06000-0-1

GRAFFGF.8100.1.4-L.D.11.240 ML=407.82 BKV.400??C or STS-170-2-1-2-5-(240/ML407)-2-(1/BKV)

GRAFFGF.8100.1.4-L.D.11.330 ML=407.82 BKV.400??C or STS-170-2-1-2-5-(330/ML407)-2-(1/BKV)

GRAFFGF.8100.1.4-L.D.11.50. ML=177.82.BKV.400??C or STS-170-2-1-2-5-(50/ML177)-2-(1/BKV)

graff gmbh71 40/523735.10,and picture

Graff7140-2XPT100/B/4

GRAFFGF-7122.1.68.0016

GRAFF GMBH7127 1XPT100/B/3 -50 +150?? 37486 4-20MA

GRAFF7140-2XPT100/B/4,ET35mm,-50+400??

GRAFFArticle: 122969;Details: HLP 12,5X153/140 800W 230V G500 E A90?? 

GRAFF7140-2XPT100/B/4 ET35mm -50+400??

GRAFF272078;EN 60584;Graff 7043

graffGF-7132.1.EL=160.NL=200.0.82. BK.150??C 102952

GRAFFGMBH7132 PT100/B/2 200MM -50-150

Graff GmbHPT100 GF.8100.1.4-L.11.D.240

Graff GmbHPT100 GF.8100.1.4-L.11.D.330

Graff GmbHPT100 GF.8100.1.4-L.11.D.50

邊緣處的數(shù)字后端處理濾波器可進一步重點關(guān)注目標(biāo)數(shù)據(jù)。邊緣傳感器處的數(shù)據(jù)頻率分析可在信息離開節(jié)點之前,并及早判定信號內(nèi)容。一些高階計算模塊執(zhí)行快速傅里葉變換(FFT)、有限脈沖響應(yīng)(FIR)濾波并使用智能抽取,可縮小抽樣數(shù)據(jù)的范圍。在一些情況下,功率平衡即使是在可以實現(xiàn)能量采集的情況下,許多工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點也必須能夠在同一小型電池上運行多年。ULP操作將是這些節(jié)點的一個關(guān)鍵參數(shù),異構(gòu)多核MCU的另一個優(yōu)勢在于,它可以克服嵌入式閃存的限速問題。通過在兩個小型內(nèi)核中以非對稱的方式對任務(wù)進行分割,可在實現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時,仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲器。實現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本,因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點設(shè)計的關(guān)鍵部分。而且必須選用能夠最小化節(jié)點實際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器,針對低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。7包括針對更簡單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+,以及需要浮點和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。使用性能更高的處理內(nèi)核可能會影響低功耗性能。在大幅度降低數(shù)據(jù)帶寬之后,只需要從邊緣傳感器節(jié)點處傳輸通過或未通過信息增量痕跡。在未使用前端濾波器或數(shù)字后端處理濾波器的情況下,可能會出現(xiàn)混疊。振動監(jiān)控的典型信號鏈。

而且必須選用能夠最小化節(jié)點實際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器,針對低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。異構(gòu)多核MCU的另一個優(yōu)勢在于,它可以克服嵌入式閃存的限速問題。通過在兩個小型內(nèi)核中以非對稱的方式對任務(wù)進行分割,可在實現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時,仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲器。實現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本,因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點設(shè)計的關(guān)鍵部分。7包括針對更簡單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+,以及需要浮點和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。使用性能更高的處理內(nèi)核可能會影響低功耗性能。

  我們可以看到在未使用前端模擬濾波器或數(shù)字后端處理濾波器的情況下,抽取8(左側(cè))的簡單信號將混疊新的干擾信號(中間),從而使頻率折疊成期望的新信號頻帶(右側(cè))異構(gòu)多核MCU的另一個優(yōu)勢在于,它可以克服嵌入式閃存的限速問題。通過在兩個小型內(nèi)核中以非對稱的方式對任務(wù)進行分割,可在實現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時,仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲器。實現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本,因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點設(shè)計的關(guān)鍵部分。數(shù)字后端處理濾波器搭配數(shù)字信號處理器(DSP)或微控制器(MCU),同時將半帶FIR低通濾波器與抽取濾波器一起使用,將能夠濾除混疊的干擾信號,從而有助于防止出現(xiàn)這一問題。

而且必須選用能夠最小化節(jié)點實際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器,針對低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。而且必須選用能夠最小化節(jié)點實際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器,針對低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。7包括針對更簡單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+,以及需要浮點和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M47包括針對更簡單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+,以及需要浮點和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。使用性能更高的處理內(nèi)核可能會影響低功耗性能。

邊緣節(jié)點異構(gòu)多核MCU的另一個優(yōu)勢在于,它可以克服嵌入式閃存的限速問題。通過在兩個小型內(nèi)核中以非對稱的方式對任務(wù)進行分割,可在實現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時,仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲器。實現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本,因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點設(shè)計的關(guān)鍵部分處理洞察力——智能工廠

  工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用解決方案適用于工廠機器狀態(tài)監(jiān)控。該解決方案的目的是在發(fā)生故障之前識別和預(yù)測機器性能問題。邊緣傳感器節(jié)點的多軸高動態(tài)范圍加速度計用于監(jiān)控工業(yè)機器上不同部位的振動位移。可以篩選和抽取原始數(shù)據(jù),在微控制器中進行頻域解讀。可以處理與已知性能極限進行比較的FFT,針對下游的通過、未通過和警示警報進行測試。通過FIR濾波去除目標(biāo)帶寬外的寬帶噪聲,可實現(xiàn)FFT內(nèi)的處理增益。非對稱MCU可整合ARM® Cortex®-M3Cortex-M0,使用處理器間通信協(xié)議進行通信。這使M3能夠重點處理繁瑣的數(shù)字信號處理任務(wù),而且必須選用能夠最小化節(jié)點實際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器,異構(gòu)多核MCU的另一個優(yōu)勢在于,它可以克服嵌入式閃存的限速問題。通過在兩個小型內(nèi)核中以非對稱的方式對任務(wù)進行分割,可在實現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時,仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲器。實現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本,因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點設(shè)計的關(guān)鍵部分。針對低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。7包括針對更簡單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+,以及需要浮點和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4M0則執(zhí)行密集程度較低的應(yīng)用控制。5這樣可以將更簡單的任務(wù)分流至小型內(nèi)核中處理。分區(qū)可功能更強大的M3內(nèi)核的處理帶寬,以便進行計算密集型處理,而這是協(xié)同處理的真正核心所在。核間通信采用共享SRAM,其中一個處理器引發(fā)中斷,而另一個檢查。當(dāng)接收處理器在響應(yīng)時引發(fā)中斷,就會發(fā)出報警。

  異構(gòu)多核MCU的另一個優(yōu)勢在于,它可以克服嵌入式閃存的限速問題。通過在兩個小型內(nèi)核中以非對稱的方式對任務(wù)進行分割,可在實現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時,仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲器。實現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本,因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點設(shè)計的關(guān)鍵部分。

5功率平衡即使是在可以實現(xiàn)能量采集的情況下,許多工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點也必須能夠在同一小型電池上運行多年。ULP操作將是這些節(jié)點的一個關(guān)鍵參數(shù),而且必須選用能夠最小化節(jié)點實際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器,針對低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。7包括針對更簡單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+,以及需要浮點和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。使用性能更高的處理內(nèi)核可能會影響低功耗性能。

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