FIB-SEM-TOF-SIMS電子顯微分析是材料和生命科學微觀分析中最 重要的一環，而元素分析是其中最重要的表征手段 之一，但標準的分析手段如能譜儀和波譜儀存在因 靈敏度不足、空間分辨率較差，無法進行輕元素、 微量元素的分析，無法分辨同位素等等問題，已不 能滿足應用發展的需求。

       FIB-SEM-TOF-SIMS提供的解決方案是將飛行時間二次離 子質譜與FIB-SEM系統集成。這種組合能夠為用 戶提供固體材料的3D化學表征和分子信息，高離 子質量分辨率和高空間分辨率成像等，并可以進行 原位FIB深度分析。

       飛行時間-二次離子質譜(TOF-SIMS)

       TOF-SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)是具有高分辨率的質譜儀。 工作原理是用聚焦離子束照射樣品表面，從而在樣 品最上層的原子層激發出二次離子(SI),再根據 不同質量的二次離子飛行到探測器的時間不同來測 定離子質量。

       與EDX相比，TOF-SIMS可以實現更好的橫向 和縱向分辨率，還可以識別并定量樣品表面層中存 在的元素和分子物質，以及具有類似標稱質量的同 位素和其他物質等。

       具有超高靈敏度，可檢測從H開始的任意元 素，檢出限達ppm量級

•  優異的空間分辨率，橫向分辨率＜ 40 nm, 縱向分辨率＜ 3 nm

•  正負離子均可檢測，離子質量分辨率＞800

•  2D和3D的快速、高離子質量分辨率和高 空間分辨率成像，可進行原位FIB深度剖析

•  通過精密控制的坐標轉移，保證不同儀器分 析位置的重合

•  TESCAN所有型號的FIB-SEM均可配置 TOF-SIMS 系統

1.輕元素及微量元素分析：Li離子電池中LI+面分布分析。

2.通過低電壓和小束流FIB逐層減薄，成功區分出厚度為2.5 nm的摻有0-15% 的In元素的GaN層。

3.金屬復合材料中微量元素的晶界偏析測定，檢出限可達ppm級。

4.對鈾礦石進行初期的同位素分析，快速得到238U和235U的分布信息。