鈣鈦礦量子點（PQDs）作為一種新興的半導體納米材料因其優異的光電性能受到廣泛關注，如高光致發光量子產率 （PLQY接近100%）、窄半峰寬（FWHM<30 nm）、波長可調（覆蓋可見光范圍）、抗光漂白等特點，在生物成像、背光顯示、LED、激光、防偽等領域具有廣闊的應用前景。圖案化是推動鈣鈦礦量子點在顯示及防偽等領域應用的關鍵步驟。然而，由于鈣鈦礦量子點固有的離子特性，其對水、氧及紫外光非常敏感，在外界環境刺激下易降解成不發光的物質，阻礙了其實際應用。常規的圖案化方法如自組裝、光刻或打印等會導致鈣鈦礦量子點尺寸增大、量子產率降低、穩定性下降，這主要是由反復暴露于紫外線輻射、加熱和溶劑清洗造成的。因此，為了推動鈣鈦礦量子點在光電領域的實際應用，亟需探索一種通用的圖案化策略，以制備具有高穩定性、可控形態以及可與剛性或柔性基底集成的鈣鈦礦量子點圖案。