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天康微差壓變送器以差動電容為檢測原理，組成微差壓電容式變送器，輸入壓力為0-50～1000Pa，輸出4～20mA DC模擬信號。
使用對象：液體、氣體和蒸氣。
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
天康微差壓變送器工作原理及結(jié)構(gòu)：
MEMS（微電子機械加工系統(tǒng)）的系列高穩(wěn)定性單晶硅壓力傳感器，具有多項的性能，可廣泛應(yīng)用于石油化工，冶金電力，工業(yè)自動化、航空航天、核能等領(lǐng)域。
天康微差壓變送器主要工作原理：
主單元包括傳感器和過程連接，工作原理如下：傳感器模塊采用全焊接技術(shù)，內(nèi)部擁有一個整體化的過載膜片，一個溫度傳感器和一個壓力/差壓傳感器。溫度傳感器作為溫度補償?shù)膮⒖贾怠毫?差壓傳感器通過隔離膜片和填充液，傳遞給壓力/差壓傳感器的硅芯片，使壓力/差壓傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化，從而導(dǎo)致檢測系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比，再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標準化信號輸出。
系列單晶硅傳感器的特性：
● 全不銹鋼316L硅油充灌焊接密封結(jié)構(gòu)；
● EMC符合GB/T 18268.1-2008標準要求；
● 傳感器中心傳感單元采用的高精度單晶硅傳感器技術(shù)，最高可達±0.05%級的精度；
● 傳感器內(nèi)部集成高靈敏度溫度傳感器，單晶硅傳感器受溫度影響的性能優(yōu)≤±0.04%/10K；
■ 高純度單晶硅材質(zhì)
系列單晶硅芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性遠遠優(yōu)于市場上現(xiàn)有的復(fù)合硅、擴散硅芯片。
■ 雙梁懸浮式MEMS技術(shù)
系列單晶硅芯片采用雙梁結(jié)構(gòu)，雙層惠斯通電橋布局，雙橋路相互補償，提高信噪比，達到最佳溫度特性。中間層弧角式懸浮，有效分解應(yīng)力，實現(xiàn)超高過壓。
■ 1KPa…40MPa標準量程
1KPa，4KPa，40KPa，100KPa，200KPa，400KPa，4MPa，40MPa八個標準量程，涵蓋過程控制全壓力范圍。最小標準量程1KPa，保證微差壓段性能。
■ 全球 橋路電阻：10KΩ
有效控制溫度影響，保證輸出信號超高信噪比，功耗低。
■ 具有大過載的正負壓腔過壓性能
1KPa芯片過壓達1.5MPa（1500倍過壓）。
4KPa芯片過壓達2.5MPa（625倍過壓）。
絕大部分微壓力/差壓傳感器的應(yīng)用可實現(xiàn)無保護膜片結(jié)構(gòu)，提高整體準確度與靜壓特性，同時簡化傳感器結(jié)構(gòu)、降低成本，讓利于用戶。
■ 芯片單晶硅層厚度達2.5mm
在硅芯片技術(shù)中，硅片的尺寸與有效硅層的厚度將對芯片的成本和性能起到很關(guān)鍵的作用。而且統(tǒng)一的傳感器芯片材質(zhì)，將更好的實現(xiàn)溫度特性，讓芯片在溫度變化時，應(yīng)力特性一致。采用全單晶硅材質(zhì)，尺寸與厚度都為行業(yè)內(nèi)最大，不惜成本，注重品質(zhì)。
■ 芯片結(jié)構(gòu)的梅花鏡像布局
芯片惠斯通電橋與引線布局，采用梅花鏡像對稱布局。全對稱布局、均衡受力，減小噪聲來源，同時也方便一次封裝，提高穩(wěn)定性與一致性。