長曝光制冷CMOS相機 FL 26BW
28.3 mm(1.8“)
6244(H) × 4168 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃
產品簡介
詳細介紹
長曝光制冷CMOS相機 FL 26BW 是鑫圖新一代深度制冷產品的新成員。它采用索尼新的背照式CMOS探測器,和鑫圖*制冷密封工藝、圖像降噪技術聯合打造,在超長曝光性能達到深度制冷CCD水平的同時,視野(1.8英寸),速度、動態范圍等性能全面超越典型的CCD。 可以替代制冷CCD長曝光應用,在高級顯微成像和工業檢測上也有廣泛的應用前景。
<0.0005 e-/p/s暗電流 可替代冷CCD長曝光應用
FL 26BW 暗電流低至0.0005 e-/p/s, 芯片制冷溫度可鎖定到零下25℃。即使在長達30分鐘曝光時,成像性能(信噪比)仍優于典型深度制冷CCD(ICX695)。
背景均一 定量分析更精準
FL 26BW 集成了索尼新背照式芯片優異的輝光抑制能力,和鑫圖*圖像降噪處理技術,基本杜絕了邊角亮光、壞點像素等不良因素,成像背景均一,更適合定量分析應用。
SONY 背照式科學級芯片 綜合成像性能*
FL 26BW采用索尼新一代背照式科學級CMOS探測器,長曝光性能和CCD相當,峰值量子效率高達92%,讀出噪聲僅0.9 e-,弱光成像能力超越CCD,動態范圍更是傳統CCD的4倍以上。