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| 應用領域 | 綜合 | 漂移 | ≤±0.5%FS |
|---|
性能特點
?對被測數據采用單片機技術進行分析處理，了測量數據的精度。
?對誤操作及錯誤、干擾信息具有判斷、提示、報警功能。
?檢測元件在恒溫環境下工作，了儀器高穩定性，并使儀器更快的進入到正常工作狀態，減小了機內外溫度變化對數據穩定性的影響。
?儀器的自動排液、打印、上下標自動翻轉等功能，減少了操作，方便使用。
產品簡介
詳細介紹
智能硅酸根分析儀型號：BN/GXF-221
智能硅酸根分析儀
性能特點
?對被測數據采用單片機技術進行分析處理，了測量數據的精度。
?對誤操作及錯誤、干擾信息具有判斷、提示、報警功能。
?檢測元件在恒溫環境下工作，了儀器高穩定性，并使儀器更快的進入到正常工作狀態，減小了機內外溫度變化對數據穩定性的影響。
?儀器的自動排液、打印、上下標自動翻轉等功能，減少了操作，方便使用。
?被測數據的存儲打印功能。
?儀器具備故障自診斷功能。
?配備數據通訊接口（選配）。硅酸根分析儀
測量范圍 0~200.0μg/SiO2
基本誤差 ≤±2.0%FS
重復性誤差 ≤±0.5%FS
短期漂移 ≤±0.5%FS
長期漂移 ≤±2.0%FS
化學方法 硅鉬蘭光度法
電源/功率 220V/45W
性能特點
?對被測數據采用單片機技術進行分析處理，了測量數據的精度。
?對誤操作及錯誤、干擾信息具有判斷、提示、報警功能。
?檢測元件在恒溫環境下工作，了儀器高穩定性，并使儀器更快的進入到正常工作狀態，減小了機內外溫度變化對數據穩定性的影響。
?儀器的自動排液、打印、上下標自動翻轉等功能，減少了操作，方便使用。
?被測數據的存儲打印功能。
?儀器具備故障自診斷功能。
?配備數據通訊接口（選配）。硅酸根分析儀
測量范圍 0~200.0μg/SiO2
基本誤差 ≤±2.0%FS
重復性誤差 ≤±0.5%FS
短期漂移 ≤±0.5%FS
長期漂移 ≤±2.0%FS
化學方法 硅鉬蘭光度法
電源/功率 220V/45W
