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當前位置：> 供求商機> ScIDre HKZ高溫高壓光學浮區爐
德國SciDre公司推出的高溫高壓光學浮區法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達300bar，甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。
┃ 設備技術參數
采用垂直式光路設計
采用高照度短弧氙燈，多種功率規格可選
熔區溫度：>3000℃
熔區壓力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規格可選
氧氣/氬氣/氮氣/空氣/混合氣等多種氣路可選
采用光柵控制技術，加熱功率從0-99% 連續可調
樣品腔可實現低至10-5mbar真空環境
豐富的可升選件
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