本裝置采用點光源超高壓汞燈作為光源。準直鏡系統的平行光曝光裝置。主要結構由“光源部分"、“吸附式曝光臺部分"等組成，曝光方式有真空貼合式（硬接觸）和墊片接近式（非接觸式）。為了管理曝光量，配備了“積分光量計"，可以以適當的曝光量進行曝光。是帶支架的緊湊設計的裝置。
1.設備名稱：平行光曝光設備HTE-510-EHC(1Kw)
2.裝置簡介：本裝置采用點光源超高壓汞燈作為光源。準直鏡系統的平行光曝光裝置。主要結構由“光源部分”、“吸附式曝光臺部分”等組成，曝光方式有真空貼合式（硬接觸）和墊片接近式（非接觸式）。為了管理曝光量，配備了“積分光量計”，可以以適當的曝光量進行曝光。是帶支架的緊湊設計的裝置。
3.設備規格
①光源（燈）：超高壓汞燈1Kw（風冷式）
②曝光面積：150mm x 150mm（最大）
③光學部分組成：
1）橢圓聚光鏡
2）平面鏡（1）、（2）
3）積分器透鏡單元
4）準直鏡
5)濾光片插入機構（手動切換方式）
□請另外準備90mm、2mm厚的濾光片。
4.曝光快門：基于氣動快門的開關方式
5.曝光量管理：基于積分光度計（管理波長365nm），具有20通道存儲功能
6.面罩：玻璃面罩152 x 152 x t3.0mm
127 x 127 x t2.3mm
127毫米使用掩模適配器
7.工件：100mm x 100mm厚度約0.1~1.0 mm
8.曝光臺：吸附式臺
吸附工件后，將玻璃掩模放置在曝光臺上。
9.光學性能：波長約300~470nm 9.光學性能：波長約300~470nm
（主波長365nm、405nm、436nm）
平行度準直半角≤1.5°
偏角≤1.0°
：紫外線照度約40mW/cm^2初始值(@365nm)
*使用ORC制造的UV-M03測量儀器
：照度分布90%以上
10.實用程序：1)電源三相200V(50/60Hz)
斷路器開關30A
10.5 KVA
2)壓縮空氣約0.5 MPa
3）所需排氣量約8m^3/min
11.圖紙：圖號310305外觀圖*帶框架 11.圖紙：圖號310305外觀圖*帶框架
圖號310306代理SIM機構說明圖
12.飾面：外部烤漆飾面 12.飾面：外部烤漆飾面
內飾烤漆、耐熱處理飾面
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