HBM利用將DRAM層層堆疊來提升存儲器帶寬，是一種立方體的3D裝置。目前HBM僅打入少數高階系統，但在數據密集的工作負載如游戲和機器學習等應用逐漸獲得重視。當前的HBM技術仍無法滿足未來的帶寬需求，因此供應商正研究數個新技術。其中包括采用HBM2E規格的新版HBM目前已經送樣，下一個版本HBM3仍處于研發階段。

HBM通常出現于2.5D的高階封裝類型，其它封裝選項如扇出式和橋接也使用這種技術。在研發上，供應商正使用新的接合方式來打造*HBM，并且也開發新的3D DRAM技術，即所謂的3DS(3顆芯片堆疊)DRAM。

目前技術研發工作聚焦的重點在于突破當前封裝的限制。例如2.5D的微凸塊是相當微小的架構，引腳間距僅40微米(μm)，未來間距可能縮小至20μm，甚至10μm，然后突塊和支柱長寬比例變得難以控制。所以在20μm到10μm時，產業需要新的互連解決方案，例如銅混合接合(copper hybrid bonding)，利用銅對銅直接對街技術，如此將可省略凸塊和支柱。

這將催生新等級2.5D封裝、3D-IC和HBM，時間很可能落在2021年或更早。銅對銅直接對接并非新技術，多年來已被用于CMOS影像傳感器(CIS)，但移入*封裝堆疊卻是一項挑戰，而且涉及復雜的制造流程。

臺積電等制造廠仍投入開發銅接合技術，也有業者藉助Xperi的「直接對接互連」(Direct Bond Interconnect；DBI)技術，能讓間距縮小至1μm?；旌辖雍霞夹g能用來連接兩個晶圓，或將芯片連接到晶圓上。現在供應商正研究利用混合接合技術開發新形式的HBM，例如低輪廓16晶粒堆疊或3DS堆疊，臺積電則有4層堆疊技術。

由此可知HBM有幾種封裝選項，此技術并非適用于所有應用，例如對于體積小的裝置HBM不會取代DRAM，但對高性能應用HBM卻越來越重要，未來的問題將是，HBM技術能否趕上處理數據需求增加的速度。

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