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日益成熟的半導體工藝技術和同步高良率目標不僅需要改進晶圓加工設備和操作參數，而且對潔凈中可能存在的氣態分子污染物（AMC）的監測和控制也提出了越來越高的要求。隨著半導體制造工藝接近摩爾極限：納米（nm）蝕刻尺寸和更高密度的晶體管密度，潔凈室空氣中的各種“雜項”分子如果沉積在晶圓表面上可能會影響工藝效果。同時，由于現代技術的復雜性和工序多，這些影響會不斷地傳遞和放大，最終體現在晶圓良率上。
也就是說，AMC監測技術也需要跟上半導體工藝技術的不斷進步和追求。根據文獻報道和相關研究，為了盡量減少AMC對工藝良率的影響，潔凈室關鍵AMC濃度需要控制在萬億級（pptv）。在實現高靈敏度的同時，快速響應也是一項重要指標，以提高樣品測量通量，并在AMC濃度異常時盡快報警，避免或減少對工藝和晶圓的負面影響屈服。
AMC監測可覆蓋幾大類AMC，同時獲得秒響應和pptv檢出限。高分辨率TOF飛行時間質譜的匹配全譜記錄使vocusciTOF具備數據回溯分析的功能，這在半導體需要控制AMC類型不斷擴展的前提下尤為重要。
AMC監測針對不同半導體環境中各類AMC的實時、高靈敏度、高精度監控案例的革命性解決方案。儀器軟硬件集成度高，運維成本極低，未來派上用場的高機動性，可以解決現有市場上其他儀器的諸多痛點，也為業主提供投資回報在提高整體良率、AMC事件預警、實時故障排除以及后續案例分析總結等方面。
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