Aston™ 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕3D NAND 存儲器

來源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2022年10月10日 14:21

Aston™ 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲器
3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston™ 質(zhì)譜分析儀適用于*半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中: 實時過程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動自動化工具調(diào)整以實現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現(xiàn)層的化學(xué)計量工程; 蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點腔室清潔.
Aston™ 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕3D NAND 存儲器

3D NAND 工藝概述

工藝步驟

3D NAND 存儲器

堆疊沉積: 交替氧化物（藍(lán)色）和氮化物（綠色）薄膜沉積（每個堆疊 >200 對）

通道蝕刻: 沉積硬掩模, 形成開口, 高縱橫比通道貫穿所有層（每個晶片>1 萬億個孔）

階梯蝕刻: 字線的接觸焊盤是使用產(chǎn)生階梯結(jié)構(gòu)的受控蝕刻來創(chuàng)建的.

ASTON 優(yōu)勢

均勻的厚度對電氣性能至關(guān)重要. Aston™ 質(zhì)譜分析儀可實現(xiàn)厚度控制, 層定義和化學(xué)計量工程.

高縱橫比通道孔需要從上到下完整且均勻, 沒有彎曲或扭曲. Aston™ 質(zhì)譜能夠在腔內(nèi)測量蝕刻反應(yīng)物.

蝕刻輪廓控制精度（埃）. 蝕刻深度能力（微米）.
Aston™ 質(zhì)譜儀通過動態(tài)測量化學(xué)物質(zhì)來實現(xiàn)蝕刻

工藝步驟

3D NAND 存儲器

狹縫蝕刻: 沉積硬掩模層, 形成硬開口圖案, 蝕刻狹縫以分離通道孔列. 這將創(chuàng)建一個存儲單元陣列.

字線沉積: 在一些 3D NAND 方案中, 去除氮化物層, 然后使用由內(nèi)向外的原子層沉積工藝（紫色）創(chuàng)建鎢字線.

晶圓上最終 3D NAND 結(jié)構(gòu)的橫截面

ASTON優(yōu)勢

Aston™ 質(zhì)譜儀通過連續(xù)測量反應(yīng)物來實現(xiàn)蝕刻的均勻性和精度.

去除氮化層并填充鎢. Aston™ 質(zhì)譜儀實現(xiàn)了分子水平的控制.

來源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016)

Aston™ 質(zhì)譜儀優(yōu)勢
ppb 級靈敏度的高速采樣
非常適合高縱橫比的 3D 結(jié)構(gòu)
耐腐蝕性氣體, 堅固緊湊
易于集成到工具平臺中
沉積應(yīng)用中: 實時過程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動自動化工具調(diào)整以實現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現(xiàn)層的化學(xué)計量工程
蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點腔室清潔

Atonarp Aston™ 技術(shù)參數(shù)

類型	Impact-300	Impact-300DP	Plasma-200	Plasma-200DP	Plasma-300	Plasma-300DP
型號	AST3007	AST3006	AST3005	AST3004	AST3003	AST3002
質(zhì)量分離	四級桿
真空系統(tǒng)	分子泵	分子泵隔膜泵	分子泵	分子泵隔膜泵	分子泵	分子泵隔膜泵
檢測器	FC /SEM
質(zhì)量范圍	2-285		2-220		2-285
分辨率	0.8±0.2
檢測限	0.1 PPM
工作溫度	15-35“℃
功率	350 W
重量	15 kg
尺寸	299 x 218 x 331 LxWxH(mm)		400 x 240 x 325 LxWxH(mm)

若您需要進(jìn)一步的了解 Atonarp Aston™ 在線質(zhì)譜分析儀詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 羅先生

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