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氮化硅薄膜窗口是透射電鏡常用的耗材，在樣品桿上進行實驗。根據實驗需求的不同，科研人員采用不同的樣品桿和氮化硅薄膜窗口進行相關實驗。有些實驗，對樣品桿有加熱的功能需求，因此出現了加熱樣品桿和加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）。
加熱桿的電熱電子芯片采用*的加熱技術，在絕緣層上添加了額外電極圖案。這種分離電刺激的設計，減少了電流的泄漏和保持了信號的完整性，從而能夠在一個穩定的平臺上同時進行試樣的加熱和電化學表征。
電學表征：透射電鏡的電學測試面臨的最大挑戰是：表征納米尺度樣品的電學性能時，所需要的電流非常小，通常小于1nA，并且必須被準確的加載和測量以確保結果的準確性。選擇合適的加熱桿才能獲得可靠的實驗數據。根據加熱桿，定制加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）或者加熱桿廠家直接提供都是可以的。
原位芯片提供的定制熱學/加熱芯片是依靠氮化硅膜超高的穩定性和低熱容量的特點實現穩定的原位熱學觀測。芯片使用鉑為加熱電極層與信號反饋層，可耐受1200℃高溫。定制加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）可高分辨地對樣品的晶體結構、化學組分、元素價態進行綜合表征。適合：真空條件下的熱反應過程(如材料相變)以及電學下的氧化還原反應等。
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