碳化硅作為一種重要的結構陶瓷材料，憑借其優異的高溫力學強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環、滑動軸承等傳統工業領域，還可作為裝甲材料、空間反射鏡、半導體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。

碳化硅陶瓷的燒結過程非常重要，經過眾多研究者研究和探索工作，先后發展了各種燒結技術，包括反應燒結、常壓燒結、重結晶燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結，以及近二十年來的新型燒結技術，如放電等離子燒結、閃燒、振蕩壓力燒結技術等。

重結晶燒結

上世紀80年代，Kriegesmann通過注漿成型制備生坯，于2450℃制備出性能優異的重結晶碳化硅(ＲecrystallizedSiliconCarbide，ＲSiC)陶瓷材料，而后很快由德國FCT公司及美國諾頓(Norton)公司實行大規模生產。重結晶SiC陶瓷材料是不同粒徑的SiC顆粒以一定比列級配后成型為素坯，素坯中細顆粒可均勻分布于粗顆粒之間的孔隙中，然后在2100℃以上的高溫及一定流量的保護氣氛下，SiC細顆粒逐漸蒸發后在粗顆粒接觸點處凝聚淀析，直到細顆粒消失。這種蒸發-凝聚機理作用的結果，使得在顆粒的頸部形成新的晶界，從而造成細顆粒被遷移，形成大顆粒之間的連橋結構及具有一定氣孔率的燒結體。

反應燒結

反應燒結碳化硅最早由P.Popper在上世紀50年代提出，其工藝過程是將碳源和碳化硅粉混合，通過注漿成型，干壓或冷等靜壓成型制備出坯體，然后進行滲硅反應，即在真空或惰性氣氛下將坯體加熱至1500℃以上，固態硅熔融成液態硅，通過毛細管作用滲入含氣孔的坯體。液態硅或硅蒸氣與坯體中C之間發生化學反應，原位生成的β-SiC與坯體中原有SiC顆粒結合，形成反應燒結碳化硅陶瓷材料。

常壓燒結

常壓燒結碳化硅是在不施加外部壓力的情況下，即通常在1.01×105Pa壓力和惰性氣氛條件下，通過添加合適的燒結助劑，在2000～2150℃間，可對不同形狀和尺寸的樣品進行致密化燒結。碳化硅的常壓燒結可分固相燒結和液相燒結兩種工藝。

固相常壓燒結碳化硅能夠達到較高的致密度3.10～3.15g/cm3，且沒有晶間的玻璃相，擁有出色的高溫力學性能，其使用溫度能達到1600℃。但是須注意固相燒結碳化硅的燒結溫度過高時，可能導致其晶粒過大而降低材料的抗彎強度。

液相常壓燒結碳化硅的出現進一步拓展了碳化硅陶瓷材料的應用范圍。液相燒結中液相的出現通常通過單個組分的熔化、兩個或多個組分的共晶形成。液相的產生提供了高擴散率路徑從而來提高燒結速度，所以液相燒結具有比固態燒結溫度低的優點，且晶粒尺寸小，殘留在晶間的液相將碳化硅陶瓷的斷裂模式從穿晶斷裂改變為沿晶斷裂，從而提高了材料的抗彎強度及斷裂韌性。SiC的常壓燒結技術已趨于成熟，其優勢在于生產成本較低，對產品的形狀尺寸沒有限制，特別是固相燒結SiC陶瓷的致密度高，顯微結構均勻，材料綜合性能優異。工業上應用廣泛的耐磨損耐腐蝕的密封環、滑動軸承等主要為常壓燒結碳化硅。

碳化硅陶瓷密度計在外觀和內置操作都進行了全面升級，全彩4.3寸觸摸屏、Type-C充電接口、USB通信接口、根據：GB/T13531、T5526、T5009、ASTM、JIS、ISO等規范。結合現代微電子技術進行設計制造，屬于數顯式觸摸屏電子密度計。測試儀主要是由稱重部分、密度測試配件以及密度測量軟件部分組成，通過將測量公式原理引進密度測試軟件的程序邏輯順序內，以代碼的形式表現，實現自動化測量。

碳化硅陶瓷比重計MAYB303

稱重范圍：0.001-300g

密度精度：0.0001g/cm3

密度范圍：0.001~99.999g/cm3

傳感器類型：日本高速稱重傳感器

測試步驟

1、將樣品放入測量臺，測空氣中重量，按保存鍵保存。

2、將樣品放入水中測水中重量，按保存鍵保存，顯示密度值。