電子元器件和半導體制造是十分看重“精度”的領域，尤其在晶圓加工和封裝環節，研磨拋光技術決定了器件的性能和良率。隨著技術的進步，如今的機械磨拋已能做到微米級別的精度，已大大滿足了光鏡觀察檢測的需求，但由于光學顯微鏡有其局限性，于是越來越多的研究轉向擁有更高分辨率的電子顯微鏡，以實現更高精度下探索電子元器件與半導體制造。

這時，我們發現在光鏡下效果好的樣品轉移至電鏡后，卻出現了“新”的劃痕并且難以得到清晰的電鏡圖像。這是由于在機械磨拋過程中，存在機械損傷，會出現光鏡下發現不了的細小劃痕、延展涂抹現象以及一定的磨料殘留。Leica EM TIC 3X離子研磨儀是專門針對電鏡制樣的設備，該設備的離子拋光功能可在機械磨拋后去除樣品的機械損傷層，得到無應力損傷的高質量平面，滿足電鏡下的樣品觀察，助力電子元器件及半導體制造在更高精度下研究的突破。

Leica EM TIC 3X離子研磨儀使用旋轉樣品臺做平面研磨，使用氬離子束轟擊樣品表面去除損傷層，制備大面積的高質量平面區域。這一制備過程常用于對機械拋光或化學拋光表面后進行離子束清潔、拋光或襯度增強，以去除表面細小劃痕、磨料殘留及涂抹假象。


離子拋光示意圖如下所示，離子束以一個可設置角度、大面積的轟擊在樣品表面，工作過程中，樣品在自轉的同時橫移運動達到大面積均勻拋光的效果。在良好的機械拋光之后，離子拋光會去除樣品表面幾個微米的深度，得到一個無應力損傷的平整表面，滿足電鏡制樣需求。

在離子束轟擊時，由于硬的樣品會比較難轟擊，軟的樣品會比較容易轟擊，故離子束拋光還存在襯度增強的作用，通過設置不同的拋光角度，可實現得到平整平面或襯度增強功能的選擇。

離子拋光消除劃痕影響

對電容樣品磨拋后觀察，僅機械磨拋后存在明顯的劃痕的影響，而離子拋光后可得到較好的結果。

上圖為僅機械磨拋后上電鏡的陶瓷電容效果，機械拋光后表面存在與劃痕同向的變形趨勢，影響對晶粒相關信息的分析。而下圖為一些徠卡離子研磨儀離子拋光后的效果示意圖，可以發現消除了劃痕的影響：

離子拋光的襯度增強

上文提到了徠卡離子研磨儀的離子拋光存在襯度增強作用，可以強化樣品內不同相之間的拓撲結構，比如在電子元器件中觀察金線時，下圖為離子拋光后的效果，可以觀察到清晰的晶界。

離子拋光的襯度增強

在機械磨拋過程中，不可避免的存在延展涂抹現象，導致一些孔隙、縫隙會被掩蓋，造成假象，而離子拋光可以去除該影響，同時一些特別小的縫隙，必須在高分辨率下才能辨認，就需要電鏡在較高倍數下觀察，此時徠卡的離子研磨儀便又有了用武之地，下圖為某一芯片觀察分層情況，僅機械研磨，就可能存在研磨的碎屑覆蓋住分層的情況，經離子束拋光后輕微的分層清晰可見：

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徠卡LNT包括超薄切片、離子束研磨拋光、機械研磨拋光、組織處理、高壓冷凍、鍍膜、臨界點干燥等各類技術手段。目前領拓儀器是徠卡LNT的華南、西南授權代理商，領拓儀器為透射電鏡/掃描電鏡/材料樣品提供全套樣品制備服務。