天恒科儀(蘇州)光電技術有限公司專注于高精度測試測量系統和設備的研發、設計、生產、銷售。為科研到量產的測試測量提供一站式解決方案
工藝制程設備
HMDS預處理系統:
功能定位:晶圓光刻膠涂覆前的全自動預處理專家,解決表面疏水性、氧化及雜質擴散問題,提升光刻良率。
處理原理:多級真空抽氣、熱氮干燥、HMDS蒸汽成膜
工藝控制:腔體溫度50-160℃
真空系統:2XZ-4機械泵(雙級旋片設計)
應用場景:硅基/化合物半導體光刻前處理、 MEMS器件防潮涂層高精度掩膜版表面疏水化
等離子清洗機:
功能定位:半導體/制造業的多能材料處理平臺,集成 清洗/活化/刻蝕/涂覆 四大功能,滿足復雜工藝需求。
處理原理:分子級殘留物清洗 ? 表面活化增粘性 ? 干法刻蝕 ? 真空涂覆
核心組件:不銹鋼/鋁合金真空腔體 + 石英/硼硅玻璃觀察窗
功率控制:四頻段電源覆蓋100kHz-80kHz-13.56MHz-2.15GHz
高精密程控頂針加熱臺:
功能定位:晶圓/基片無接觸熱處理設備,支持無塵恒溫加熱與真空吸附固定,解決傳統加熱臺的氣流擾動與污染問題。
控溫范圍:室溫-200℃(標準) / 室溫-300℃(可選)
晶圓兼容性:4/6/8/12英寸晶硅片(真空吸附固定)
應用場景:半導體封裝前預烘、MEMS器件無氧退火、光刻膠低溫固化、柔性基板熱壓鍵合
實驗型柜式勻膠烤膠一體機 / 半自動顯影機
功能定位:三合一多功能平臺:勻膠 + 烘烤 + 顯影全流程集成,實現光刻工藝核心步驟的自動化控制。
核心模塊:勻膠模塊、顯影模塊、烘烤模塊
運動控制:松下A6伺服電機驅動、轉速范圍 20–5000 rpm、 加速度 250–20000 rpm/s
應用場景:硅基/化合物半導體光刻膠涂布、 微納圖形顯影 、高分辨率光刻制程(如MEMS掩模制備)
無塵無氧烘箱:
功能定位:專為精密制程環境設計的潔凈熱處理設備,解決高溫工藝中的微粒污染與氧化風險問題。
潔凈度控制:Class 100級環境(HEPA過濾器)氧含量≤20ppm(氮氣吹掃
溫控性能:溫度均勻性 ±1%/±1.5%、全系支持 50~300℃ 可調
應用場景:半導體封裝后固化 、光刻膠預烘、MEMS器件退火 、PCB板無氧回流焊
高精密勻膠機:
功能定位:光刻膠/功能薄膜的納米級厚度控制專家,實現旋涂工藝的全流程自動化與可重復性
運動控制:高精度無刷電機、轉速范圍 10~12,000 rpm(SMC-Spin200i)、加速度 30,000 rpm/s
真空吸附系統:實時壓力顯示 + 三檔載物盤定制、 防堵膠設計 + 漏膠檢修接口
應用場景: 晶圓光刻膠涂布、柔性OLED薄膜制備 、微流控芯片PDMS成型 、納米壓印膠旋涂
晶圓激光劃片機:
功能定位:半導體晶圓全自動精密切割設備,實現芯片級激光劃片,滿足高精度、無人值守量產需求。
運動系統:Y軸累計誤差<±5μm、O軸最小旋轉分辨率:0.0005°
光學系統:峰值功率>10kW、光束模式TEM00
應用場景:功率半導體模塊制造、MEMS傳感器量產、射頻器件加工
晶圓半自動裂片機:
功能定位:激光劃片后的芯片分離設備,通過壓力控制實現晶粒精準裂片,支持批量生產
壓力控制:時數字壓力顯示 + 可調閾值
核心精度:軸累計誤差<±5μm(同劃片機標準)、 重復精度≤2μm
兼容性:晶圓尺寸:4-6英寸
應用場景:脆性材料芯片分離、封裝拆建合、光電器件批量生產
桌上濕法顯影刻蝕設備:
功能定位:精密濕法處理全集成平臺,專攻 光刻膠顯影/化學刻蝕 工藝,滿足研發與中小批量生產需求
工藝控制:轉速 0-12,000 rpm(穩定性 ±1%)工藝時間 1-5999.9秒/步
腔體設計:聚丙烯(PP)材質(耐強酸/強堿)、帶排孔操作臺 + 聯動傳感艙蓋
應用場景:硅基/化合物半導體光刻膠顯影、 GaAs晶圓濕法刻蝕、MEMS結構層化學減薄
F20薄膜厚度測量儀:
功能定位:全光譜膜厚分析專家,覆蓋 1nm~10mm 超寬量程,實現多態薄膜的無損快速檢測。
測量原理:反射/透射光譜分析 + 自主光學常數建模
測量參數:厚度、反射率、透射率、光學常數、均勻性、刻蝕量
電壓范圍:±40V(80V p-p)
量程覆蓋:6款型號覆蓋全光譜:F20-UV(1-100nm)-F20-XT(1μm-10mm)
應用場景:半導體金屬鍍膜/超薄柵氧層、光學濾光片/抗反射涂層、LCD顯示面板/醫用高分子膜
F50薄膜厚度測量儀
功能定位:晶圓級高速薄膜分析平臺,專為450mm大尺寸樣品設計,優化產線級質檢效率
核心優勢:每秒2點高速掃描、極坐標移動平臺(r-θ) 自動定位
運動控制:轉速范圍 0-12,000 rpm、穩定性 ±1%、時間控制0.1秒精度
應用場景:8/12英寸晶圓鍍膜質檢、光伏面板ITO膜均勻性評估、顯示面板量產級在線檢測
國產膜厚測量儀:
功能定位:研發級薄膜分析專家,開放材料庫與微區測量,專注復雜材料研究需求。
測量原理:光譜匹配法(<5μm)+ FFT厚膜模式(>5μm)
測量參數:厚度、折射率(n)、消光系數(k)
應用場景:新型材料(鈣鈦礦/量子點)光學特性研究、MEMS微區膜厚分析、特種涂層實驗室開發
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