半導體等離子濺射鍍膜儀采用二級濺射方式,廣泛用于SEM樣品制備或金屬鍍膜試驗。采用低溫等離子體濺射工藝,鍍膜過程中無高溫,不易產生熱損傷。該小型等離子濺射儀使用PLC控制系統,全部觸摸屏操作,便于學習使用。本型號儀器還配有旋轉樣品臺,能夠有效的提升鍍膜的均勻性。(本設備配有旋轉加熱樣品臺,可以提升鍍膜的均勻性和薄膜的附著力)該小型等離子濺射儀使用PLC控制系統,全部觸摸屏操作,便于學習使用。
工作原理:
等離子體激發:
通入氬氣(Ar)等惰性氣體,在電場作用下電離形成高密度等離子體。
離子轟擊濺射:
高能離子束(能量>1keV)轟擊金屬或化合物靶材,使靶材原子逸出形成定向分子束流。
薄膜沉積:
濺射原子在基片表面沉積成膜,厚度通過石英晶振實時監控。
周期性清潔:
真空室清潔:沉積后使用5%氫氮混合氣清除殘留等離子體,內壁鋁箔每10次循環更換。
靶材維護:金屬靶每50小時拋光表面,氧化物靶定期檢測裂紋。
核心系統保養:
真空系統:
分子泵油每500小時更換,機械泵每季度清洗濾網。
密封圈每月檢查形變,O型圈每半年強制更換。
電氣系統:
高壓電纜絕緣層每周測試耐壓(>10kV)。
等離子電源散熱器每兩周除塵,防止電弧放電。
故障應急處理:
濺射電弧不穩定:立即斷電,貼絕緣膠帶隔離暴露金屬件。
真空度下降過快:檢查法蘭密封圈,氦檢漏定位泄漏點。
薄膜均勻性超差:校準基片架公轉/自轉速度。
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