一、核心技術(shù)：國(guó)產(chǎn)自研突破“卡脖子”，部分指標(biāo)反超進(jìn)口

臺(tái)階儀的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于測(cè)量精度與穩(wěn)定性，而這依賴于傳感器、掃描系統(tǒng)、力控技術(shù)等底層技術(shù)。

國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀（澤攸）：自主創(chuàng)新，掌握核心科技

澤攸科技JS系列（如JS10C，JS100C等）搭載多項(xiàng)自研技術(shù)，部分指標(biāo)已達(dá)到或超越進(jìn)口水平：

雙LVDT傳感器技術(shù)：澤攸采用自主研發(fā)的LVDT（線性可變差動(dòng)變壓器）傳感器，兼具力控與位移檢測(cè)功能。其中，LVDT傳感器1用于檢測(cè)彈簧形變量以精準(zhǔn)計(jì)算探針壓力（恒力范圍0.5~50mg），LVDT傳感器2反饋壓電陶瓷位移以確定臺(tái)階高度，雙傳感器協(xié)同工作使重復(fù)性測(cè)量偏差低至≤0.5nm（基于10μm標(biāo)準(zhǔn)塊重復(fù)掃描30次測(cè)試結(jié)果），線性度偏差僅千分之一以內(nèi)。這一技術(shù)突破了進(jìn)口設(shè)備依賴單一傳感器的技術(shù)瓶頸，大幅提升測(cè)量穩(wěn)定性。
高分辨率掃描系統(tǒng)：澤攸臺(tái)階儀垂直分辨率達(dá)0.05nm滿量程（全量程），水平分辨率亞微米級(jí)，可捕捉納米級(jí)表面起伏（如晶圓氧化層粗糙度、MEMS器件曲率半徑）。相比之下，部分進(jìn)口設(shè)備的垂直分辨率多為0.1nm級(jí)，且在軟質(zhì)材料（如有機(jī)薄膜）測(cè)量中易因探針壓力波動(dòng)導(dǎo)致數(shù)據(jù)偏差。
主動(dòng)聚焦與雙導(dǎo)航影像：澤攸全自動(dòng)型號(hào)（如JS2000B）配備正視/側(cè)視高像素彩色相機(jī)，支持主動(dòng)聚焦技術(shù)（對(duì)比進(jìn)口設(shè)備的“手動(dòng)聚焦”更高效），可在掃描前快速定位樣品測(cè)試點(diǎn)，掃描中實(shí)時(shí)觀察探針與樣品接觸狀態(tài)，避免因離焦或偏移導(dǎo)致的測(cè)量誤差。

進(jìn)口臺(tái)階儀：品牌積淀深厚，但技術(shù)迭代較慢

進(jìn)口品牌憑借數(shù)十年技術(shù)積累，在部分成熟場(chǎng)景（如傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)）中仍占據(jù)優(yōu)勢(shì)，但其技術(shù)迭代速度較慢。例如，多數(shù)進(jìn)口設(shè)備仍采用“杠桿式檢測(cè)方案”（通過電容傳感器反饋位移/線圈補(bǔ)償力），而澤攸已普及“直動(dòng)式檢測(cè)方案”（探針LVDT反饋力+微動(dòng)臺(tái)控力），后者在重復(fù)性（≤0.5nm vs 進(jìn)口0.6~1nm）和長(zhǎng)期穩(wěn)定性上更具優(yōu)勢(shì)。

二、成本與服務(wù)：國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀“降本增效”，本土化優(yōu)勢(shì)顯著

除技術(shù)外，成本與服務(wù)是企業(yè)選型的關(guān)鍵考量。

國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀（澤攸）：高性價(jià)比，全周期服務(wù)降低門檻

價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯：澤攸JS系列臺(tái)階儀（如JS2000C全自動(dòng)型號(hào)）價(jià)格僅為同規(guī)格進(jìn)口設(shè)備的60%~70%，半自動(dòng)/手動(dòng)型號(hào)（如JS100C、JS10C）價(jià)格優(yōu)勢(shì)更顯著（約為進(jìn)口的50%）。對(duì)于預(yù)算有限的中小企業(yè)或科研機(jī)構(gòu)，這一成本差異可直接轉(zhuǎn)化為研發(fā)投入的增加。
服務(wù)響應(yīng)更快：澤攸提供“24小時(shí)技術(shù)響應(yīng)+免費(fèi)上門培訓(xùn)”服務(wù)，相比進(jìn)口設(shè)備普遍“48小時(shí)響應(yīng)+需第三方支持”的模式，能更快解決設(shè)備故障或操作問題。例如，某半導(dǎo)體廠商反饋，其使用的進(jìn)口臺(tái)階儀曾因探針卡滯停機(jī)3天，而澤攸設(shè)備同類問題可在2小時(shí)內(nèi)遠(yuǎn)程解決。
靈活的試用與升級(jí)方案：澤攸支持“租賃試用”（降低中小客戶初期投入）和“探針組件升級(jí)”（如JS系列可通過更換探針組件擴(kuò)展量程至1mm），而進(jìn)口設(shè)備升級(jí)通常需返廠改造，成本高且周期長(zhǎng)（約1~2個(gè)月）。

進(jìn)口臺(tái)階儀：服務(wù)網(wǎng)絡(luò)完善，但本土化適配不足

進(jìn)口品牌雖在全球設(shè)有服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)，但在中國(guó)市場(chǎng)的本地化支持仍存在短板。例如，部分進(jìn)口設(shè)備的軟件界面僅支持英文，且針對(duì)中國(guó)客戶需求的定制化功能（如太陽(yáng)能薄膜、鈣鈦礦等新興材料的測(cè)量模式）開發(fā)滯后。而澤攸已針對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體、新能源、材料科學(xué)等領(lǐng)域推出專用測(cè)量方案（如錫基鈣鈦礦薄膜厚度測(cè)量、MEMS器件3D掃描），軟件支持中文界面與多格式數(shù)據(jù)導(dǎo)出（ASC、CSV），更貼合本土用戶習(xí)慣。

三、應(yīng)用適配：國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀“精準(zhǔn)覆蓋”，新興領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)凸顯

隨著新能源（鈣鈦礦）、MEMS、生物醫(yī)療等新興領(lǐng)域的崛起，市場(chǎng)對(duì)臺(tái)階儀的“場(chǎng)景適配性”提出更高要求。

國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀（澤攸）：定制化方案，精準(zhǔn)匹配新興需求

澤攸JS系列通過模塊化設(shè)計(jì)，可快速適配不同場(chǎng)景：

半導(dǎo)體制造：支持2D/3D臺(tái)階高度（20~160μm）、粗糙度（Ra 0.01~100nm）、薄膜應(yīng)力測(cè)量，兼容6寸~12寸晶圓，滿足晶圓拋光工藝（CMP）效果評(píng)估需求。
新能源材料：在錫基鈣鈦礦、準(zhǔn)二維鈣鈦礦研究中，澤攸臺(tái)階儀可精確測(cè)量35~40nm超薄薄膜厚度（如文檔4中復(fù)旦團(tuán)隊(duì)的實(shí)驗(yàn)），并通過3D掃描分析表面缺陷，助力器件遷移率（>60 cm² V?¹ s?¹）提升。
MEMS與生物醫(yī)療：采用亞微米級(jí)探針（曲率半徑≤1μm），可測(cè)量微米/納米級(jí)結(jié)構(gòu)表面波紋（如MEMS陀螺儀）及人工關(guān)節(jié)微觀形貌，避免探針損傷樣品。

進(jìn)口臺(tái)階儀：傳統(tǒng)領(lǐng)域占優(yōu)，但新興場(chǎng)景靈活性不足

進(jìn)口設(shè)備雖在傳統(tǒng)半導(dǎo)體檢測(cè)（如硅片厚度測(cè)量）中表現(xiàn)穩(wěn)定，但因硬件架構(gòu)固化（如杠桿式檢測(cè)方案），難以快速適配新興材料的特殊測(cè)量需求（如柔性鈣鈦礦薄膜的曲面掃描）。而澤攸通過“直動(dòng)式檢測(cè)+主動(dòng)聚焦”技術(shù)，已實(shí)現(xiàn)對(duì)曲面樣品（如柔性太陽(yáng)能電池）的穩(wěn)定測(cè)量。

國(guó)產(chǎn)替代加速，澤攸科技定義“中國(guó)精度”

從技術(shù)突破到服務(wù)升級(jí)，從傳統(tǒng)領(lǐng)域到新興場(chǎng)景，澤攸科技臺(tái)階儀以“自主創(chuàng)新”為核心，用“高性價(jià)比+強(qiáng)本土化”打破進(jìn)口壟斷。對(duì)于追求精度、效率與成本平衡的企業(yè)與科研機(jī)構(gòu)而言，澤攸科技不僅是“國(guó)產(chǎn)替代”的選擇，更是“中國(guó)智造”的可靠伙伴。