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流體剪切力實驗

來源:拓赫機電科技(上海)有限公司   2016年04月26日 18:03  

流體剪切力實驗流體環(huán)境下的HUVEC細胞培養(yǎng),真實還原體內環(huán)境

 

這里我們以HUVEC細胞為例,使用ibidi流體剪切力系統(tǒng)進行一個流體條件下的細胞培養(yǎng)與靜置狀態(tài)下的細胞培養(yǎng)的對比實驗。

 

.實驗準備實驗材料及設備

  1. 細胞: HUVECs細胞系
  2. 培養(yǎng)基:Endothelial Cell Growth MediumPromoCellGermanyC-22010

           胎牛血清

  1. 培養(yǎng)耗材:ibidi單通道載玻片μ-Slide I0.6 Luer ibidi,Germany,80186

             灌流管,15cm,1.6mm直徑(ibidi,Germany10962

             封口夾 

  1. 儀器設備:ibidi流體剪切力系統(tǒng),含空氣泵(ibidi,Germany10905)和流體單元(ibidi,Germany10903

 

  1. 實驗方法

在實驗開始前一天,請將所有需要使用的試劑,培養(yǎng)基,通道載玻片,灌流管都在37的二氧化碳培養(yǎng)箱中放置到第二天,排除由于溫度差產(chǎn)生的微量氣泡。

 

.)培養(yǎng)細胞

準備HUVECs細胞系,按照常規(guī)細胞培養(yǎng)方法進行培養(yǎng)。好使用比較健康的內皮細胞,以防在做流體實驗時候細胞不能穩(wěn)定貼壁。我們建議使用內皮細胞培養(yǎng)基+10%FCS培養(yǎng)HUVEC。好使用4代以內的HUVEC。已獲得較好的實驗結果。

 

按照下面流程鋪細胞:

  1. 150μl1.6 x 106 cells/ml密度的細胞懸液加入通道載玻片中,注意,將移液器頭插入注液孔中再加入細胞懸液,可以輕微傾斜通道載玻片幫助細胞懸液充滿整個通道(圖一)。

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2.蓋上注液孔蓋,將通道載玻片放入細胞培養(yǎng)箱中培養(yǎng)半小時,等待細胞貼壁。細胞貼壁后,拿出通道載玻片,在每個注液孔中分別加入60μl培養(yǎng)基,注意,槍頭要懸在孔上方滴入培養(yǎng)基(圖二)

3.將通道載玻片再放入二氧化碳培養(yǎng)箱進行培養(yǎng)2-4小時左右,等到細胞剛剛長滿為單細胞層,即可開始實驗(圖三)。注意,要使用單層細胞進行剪切力實驗,使每個細胞均受到均勻的剪切力。

 

                                                                           圖三

3.靜置條件下細胞培養(yǎng)。在通道載玻片中靜置培養(yǎng)的細胞可以作為流體剪切力條件下培養(yǎng)的細胞對照。待流體實驗開始的同時,將靜置細胞培養(yǎng)的對照組放入二氧化碳培養(yǎng)箱中進行7天的培養(yǎng)。注意,培養(yǎng)過程中每天都要更換培養(yǎng)基。

 

二)搭建流體系統(tǒng)

  1. 將灌流管按照說明放在置在流體單元上。在灌流管的儲液管中加入12ml培養(yǎng)基。這時不需要連接通道載玻片。實驗前需要去除整個灌流管中的氣泡,存留在灌流系統(tǒng)的氣泡會影響剪切力的大小,有時還會使灌流系統(tǒng)中的液體流動停滯。打開ibidi泵控制系統(tǒng),在任務欄中找到“Remove air bubbles”,ibidi流體剪切力系統(tǒng)將自動運行下面任務,用于去除氣泡。(表一)

 

2.連接通道載玻片。去除氣泡后,就可以將之前準備好的含貼壁細胞的通道載玻片與灌流管相連。將搭載灌流管的流體單元從流體剪切力系統(tǒng)中取下,放到超凈臺中。將通道載玻片的注液孔用培養(yǎng)基裝至過滿狀態(tài)(?)。之后就按照下面的流程圖連接通道載玻片(圖四)。

圖四:a)封口夾輕輕將灌流管的硅膠管夾住。b)將其中一個魯爾接頭從中間的鏈接管中拔出。c-j)按圖示,將魯爾接頭與通道載玻片的注液孔相連,注意不能產(chǎn)生氣泡,會有部分培養(yǎng)基溢出。k)連接好后,將封口夾移除,用無塵紙將溢出的培養(yǎng)基擦除。l)全部連接好后,用顯微鏡觀測一下通道內的細胞狀態(tài)。

3)檢查灌流系統(tǒng)是否密封、是否將灌流管插入了正確的閥門。將封口夾夾住其中一根硅膠管,如果兩邊的灌流儲液管液面不會下降或者上升,那么,整個系統(tǒng)就是密封的,并且是正確安裝的(圖五)。

                                                       圖五。

4.開始流體剪切力實驗(單向層流)。將搭建好的流體單元與流體剪切力泵相連后,將整個流體單元放入二氧化碳培養(yǎng)箱中。打開控制軟件,設置實驗條件與步驟。為了使貼壁細胞適應剪切力培養(yǎng)環(huán)境。先用低剪切力刺激,逐步提高并且保持在一定的剪切力(表二)。

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三 )實驗結果

一.形態(tài)對比
在培養(yǎng)7天之后,可以直接用顯微鏡觀察到細胞的形態(tài)發(fā)生了顯著的變化,在剪切力刺激下培養(yǎng)的細胞形態(tài)更加修長,排列更加緊密和規(guī)律。而靜置狀態(tài)下培養(yǎng)了7天的細胞形態(tài)沒有顯著的變化(圖六)。

圖六:如上所示,在20 dyn/cm2刺激下的細胞更為修長排列更加緊密。

 

  1. 免疫熒光實驗
  1. 去除通道內培養(yǎng)基。用1mlPBS沖洗通道,在注入PBS的同時,用槍頭從另一個注液孔吸出廢液。
  2. 加入約200μl3.7%多聚甲醛的PBS溶液,用槍頭從另一個注液孔吸出廢液。靜置10分鐘。
  3. 按照步驟1)沖洗通道
  4. 加入200μl 1% Triton® X-100 PBS 溶液通透3-5分鐘
  5. 按照步驟1)沖洗通道
  6. 加入200μl 1% BSAPBS溶液封閉20分鐘
  7. 按照步驟1)沖洗通道
  8. 依次加入一抗,二抗進行免疫熒光染色后,沖洗通道并加入封片液進行顯微鏡觀察(圖七、圖八)。

圖七:HUVEC細胞在20 dyn/cm2刺激7天的免疫熒光結果??梢钥吹郊毎羌芘帕蟹较蚍浅R恢隆K{色:細胞核;綠色:VE- cadherins;紅色:actin filaments

 

圖八:靜置狀態(tài)下培養(yǎng)7天的HUVEC細胞,可以看見細胞骨架排雷沒有規(guī)律性,并且表達量也略少。

三.實驗總結
綜上所述,對于HUVEC細胞而言,流動剪切力的培養(yǎng)環(huán)境更為貼近其自然生長的環(huán)境,我們實驗說明在靜置狀態(tài)下并不能展現(xiàn)出HUVEC細胞的生理特性。

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