化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>薄膜生長(zhǎng)設(shè)備>化學(xué)氣相沉積設(shè)備>PE-CVD 維意真空等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備
PE-CVD 維意真空等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備
參考價(jià) | ¥ 200000 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) PE-CVD
- 產(chǎn)地 中國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/4/24 15:32:43
- 訪問(wèn)次數(shù) 928
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使用溫度 | 1100℃ | 極限真空度 | 1Pa |
---|---|---|---|
射頻電源功率 | 300W | 爐管直徑 | 100mm |
溫區(qū) | 1~3溫區(qū) |
維意真空等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備
該系列PECVD系統(tǒng)具有固態(tài)等離子源、分開(kāi)式反應(yīng)氣體進(jìn)氣系統(tǒng),動(dòng)態(tài)襯底溫控,全面控制真空系統(tǒng),采用集中現(xiàn)場(chǎng)控制總線技術(shù)的“值守精靈”控制軟件,以及友好用戶操作界面來(lái)操作。適用于室溫至1400℃條件下進(jìn)行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積,同時(shí)可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料,尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無(wú)損傷鈍化膜的沉積。
*** PE-CVD結(jié)構(gòu)特點(diǎn)介紹:
1、PECVD系列真空管式高溫?zé)Y(jié)爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體;
2、爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用進(jìn)口高溫合金電阻絲為加熱元件;
3、高純石英管橫穿于爐體中間作為的爐膛,爐管兩端用不銹鋼法蘭密封,工件式樣在管中加熱,加熱元件
與爐管平行,均勻地分布在爐管外,有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性;
4、測(cè)溫采用性能穩(wěn)定,長(zhǎng)壽命的“K”型熱電偶,以提高控溫的精準(zhǔn)性;
5、它是專為高等院校﹑科研院所及工礦企業(yè)對(duì)金屬,非金屬及其它化和物材料在氣氛或真空狀態(tài)下進(jìn)行燒
結(jié)﹑融化﹑分析而研制的設(shè)備;
6、MPECVD系列真空管式爐能夠快速開(kāi)啟,快速升降溫,方便客戶對(duì)特殊材料的裝載,燒制和觀察;
7、爐體的控制面板配有觸摸屏,控制電源開(kāi)關(guān),配有電源和保險(xiǎn)指示燈,以便隨時(shí)觀察本系統(tǒng)的工作狀態(tài)。
維意真空等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備