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| 產地類別 | 國產 | 加熱方式 | 含鉬電阻絲 |
|---|---|---|---|
| 價格區間 | 面議 | 控溫精度 | ±1℃ |
| 內部尺寸 | 80x300mm | 升溫速度（達到最高溫） | 20℃/min |
| 儀器種類 | 管式爐 | 應用領域 | 醫療衛生,化工,生物產業,建材/家具,電子/電池 |
| 最大功率 | 1.5kwkW | 最高溫度 | 1200℃ |
薄膜材料制備化學氣相沉積系統 CVD爐
產品概述
GKD-CVD系列薄膜材料制備化學氣相沉積系統 CVD爐是由管式爐加熱系統，多通道混氣系統和真空系統組成；溫度可以達到1700度，可以做單溫區，雙溫區，三溫區等多溫區；混氣系統流量調節可以是質量流量計或者浮子流量計，混氣路數有2路，3路，4路，5路等相混合，可以將多種氣體進行精確地混氣后導入到管式爐內的反應室中反應。
產品用途
廣泛用于半導體工業中沉積薄膜材料、提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料，以及大多數金屬材料和合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等CVD工藝實驗。是高等院校，科研院所和工況企業進行氣氛燒結，氣氛還原、CVD實驗的理想設備。
技術參數
產品名稱 | CVD氣相沉積系統 |
產品型號 | GKD-CVD |
結 構 | 爐殼采用雙層風冷結構，使得外表面溫度低于50℃ 爐膛采用*真空吸附成型的多晶氧化鋁陶瓷纖維，節能環保，減少熱量的損失，爐膛內表面涂有進口的氧化鋁陶瓷涂層，有效提高加熱效率，同時可以延長設備的使用壽命。 |
混氣系統 | 1-5路浮子流量計（可選質量流量計）配置在移動工作臺上，可同時通入1-5路不同的氣體，1-5通道自動控制，精度0.02%，數字顯示 內置混氣罐，底部裝有泄廢液口，每路氣體管路均配有逆止閥 MFC 1 范圍 0-100sccm MFC 2和3 范圍 0-500sccm 進氣接口 1/4NPS 出氣接口1/4NPS |
真空系統 | 一個雙旋片機械真空泵安裝在移動架內，通過此真空泵，真空度可以達到5x10^-2 torr 在移動架內安裝四級泵（配分子泵），可以使得真空度達到7x10^-5Pa LED數字式真空顯示計（測量范圍0.1mtorr~850torr） |
電 源 | 208-240V 50/60Hz |
功 率 | 4kw |
溫 度 | 1200℃（可做1400℃或1700℃） |
工作溫度 | 1100（1300℃或1600℃） |
升溫速率 | 0-20℃/min |
加熱區長度 | 400mm（可根據客戶需求定制） |
多溫區 | 支持（具體請咨詢業務人員） |
控溫方式 | 51段PID智能微電腦可編程控制 |
控溫精度 | ±1℃ |
加熱元件 | 高純含鉬電阻絲 |
爐管尺寸 | φ60x1200mm（根據需要定制） |
測溫方式 | K型熱電偶 |
爐管材質 | 石英管（大于1200℃用高純剛玉管） |
爐膛材料 | 一層: 1800型多晶氧化鋁陶瓷纖維。保證爐膛足夠的強度，又確保具有良好的隔熱效果。 |
溫控保護 | 具有超溫保護和斷偶預警功能 |
可通氣體 | 氮氣、氬氣、二氧化碳、空氣、水蒸氣等非可燃性氣體 |
密封系統 | 爐管兩端配置不銹鋼密封法蘭，法蘭上安裝有數字真空顯示計，連接閥門通過真空泵，壓力可以達到5x10^-2 torr，壓升率6mtorr/min |
可選配件 | 爐管，不銹鋼密封法蘭，熱電偶，耐高溫手套，坩堝鉗，密封圈 |
質保期 | 1年質保，終身維護 |
耗材 | 爐管，密封圈，熱電偶，加熱元件 |
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