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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>化學氣相沉積設備>PECVD 高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積

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PECVD 高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創新型中小企業、科技型中小企業、規模以上工業企業。










冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發

產品概述:
系統主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。
本系統具有PECVD功能和熱絲CVD功能。

設備用途:
PECVD即是化學氣相沉積法,是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域,PCEVD是等離子體增強化學氣相沉積英文的各個詞字母的字母。

真空室結構:
圓筒形上升蓋


真空室尺寸:
φ400x300mm


極限真空度:
≤6.67E-5Pa


沉積源:
設計待定


樣品尺寸,溫度:
φ4英寸,1片,最高600℃


占地面積(長x寬x高):
約2.6米x1.6米x1.8米


電控描述:
全自動


工藝:


特色參數 :








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