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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>原子層沉積設備>AT-LT 大尺寸臺式熱原子層沉積系統 ALD

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AT-LT 大尺寸臺式熱原子層沉積系統 ALD

參考價 500000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準

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北京盈思拓科技(Instonetech) 有限公司是材料研究領域的技術服務提供商。 Instone是Institute、Instrument、Instant的縮寫,代表公司秉承專業、高效的經營理念,為科研用戶提供技術服務。

公司深耕國內科研市場近十年,以中科院等專業院所背景的技術力量為依托, 為國內各大科研機構及材料研究客戶提供科研儀器設備和專業技術服務。公司以代理國內外材料化工方向的儀器設備為核心業務,產品覆蓋材料制備、表征、光、熱、 電、磁等研究領域。

公司在提供專業儀器設備的基礎上,根據客戶的不同需求,提供“從0到1”的咨詢和建設服務(實驗室設備及家具布局、通風、潔凈及氣路等),為新能源電池、電子陶 瓷、半導體材料、高分子材料等用戶提供一站式解決方案。

此外,公司旗下擁有友研精密加工平臺,并擁有專業的技術工程師為實驗設備提供 系統集成服務,提升科研實驗的自動化水平,為用戶提供增值服務。



技術服務、一般項目:技術開發、技術咨詢、技術交流

價格區間 50萬-100萬 應用領域 石油,能源,電子/電池,航空航天,電氣

熱原子層沉積技術,面積可達 37 平方厘米

大尺寸臺式熱原子層沉積系統

· 適用于37平方厘米平板的鋁制腔體(第二代類型)

· 適用于8片六英寸晶圓或4片八英寸晶圓,且具有很好的均勻性(其他晶圓尺寸可以定制)

· 4端口可加熱前軀體管路(可定制)

· 采用內置高功率線圈加熱器進行腔室加熱,最高溫度可達275°C

· 集直接控制與遠程筆記本控制功能于一體的 PLC/人機界面系統

· 采用帶MFC的快速響應情性氣體吹掃流量控制裝置,集成腔室截止閥能適用于高曝光(靜態)生長模式選項

· 所有硬件和軟件符合Semi-S2和NFPA-79指南

· 符合Semi S2標準

· 附加慢抽真空選項

· 可選的前驅體溫度監測,具有實時反饋和脈沖周期控制功能

· 可選帶液晶顯示屏的可燃氣體罐進行重量追蹤溯源





ALD 設備的工作原理

 原子層沉積(ALD)系統由幾個核心組件構成:前驅體源及其反應物閥門、帶有溫度控制平臺(或夾具)的反應腔、惰性氣體以及真空系統(或吹掃系統)。該過程會交替進行前驅體和反應物的引入,每次只引入一種,其間會有一個吹掃步驟。這樣可以防止前驅體在氣相中發生反應,從而確保僅進行表面特定的反應。其結果是每個循環中形成一層單分子沉積,從而在原子尺度上實現了對薄膜生長的控制。該反應具有自限性,這意味著一旦前驅體與表面發生反應并填充了可用的活性位點(對于氧化物、羥基等),反應就無法再繼續進行。

 安瑞克技術公司開發的臺式原子層沉積系統操作簡便、易于維護,具備優良的散熱管理功能、可定制的等離子體源以及軟件驅動的自動化功能,能夠支持熱增強型和等離子體增強型原子層沉積工藝。這些工具具有可擴展性--從與手套箱兼容的實驗臺設備到完整的 12英寸晶圓系統--并且經過精心設計,以實現最高的工藝穩定性、易用性,并能融入各種實驗室環境。



應用領域

安瑞克技術公司ALD 技術是下一代半導體、儲能設備、光電子器件以及生物相容性材料發展的重要基礎。其能夠對納米結構進行均勻覆蓋的特性使其在以下領域中至關重要:

· 用于柵極介電層和阻擋層的微電子學及微機電系統技術

· 用于電極和電解質涂層的固態電池和超級電容器

· 光柵、透鏡和光子結構上的光學涂層

· 催化作用與燃料電池的開發,其中原子層沉積技術能夠實現可控的表面改性

· 需要具有耐腐蝕性且生物惰性的薄膜的生物醫學設備

· 易降解材料的表面鈍化與封裝處理

隨著該行業朝著更小、更快、更高效的設備方向發展,原子層沉積技術的重要性也與日俱增。


客戶案例

*100多家用戶,多家重復購買的用戶:

? 哈佛大學

? 赫爾辛基大學(Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen)

? 泛林集團 (LAM) (6臺以上)

? 牛津大學(2臺以上, Prof Sebastian Bonilla)

? 國立材料科學研究所(日本,多臺)

? 東京大學(多臺)

? 早稻田大學(多臺)

? 西北大學(美國)

? 劍橋大學(英國)

? 萊斯大學

? 英屬哥倫比亞大學(加拿大)

? ENS-Paris(法國、高等師范學院)

? 北京量子研究院

? 北京大學

? 布里斯托大學(英國)

? 謝菲爾德大學等等


重復購買客戶的具體應用

1.  早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) - 傳感器、表面改性、納米壓印光刻、*通孔制造 (AIST) – 日本茨城縣

2.  早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) – 系統 #2;類似應用。日本神奈川縣橫濱國立大學 (Yokohama National University)

3. 國立材料科學研究所 (NIMS) #1 (日本茨城縣) - 表面和薄膜中的聲子;原子尺度低維等離激元學;納米材料中的自旋軌道分裂

4. 國立材料科學研究所 (NIMS) #2 (日本茨城縣) - 碳納米管中的自旋相關輸運;納米間隙制造和分子輸運;石墨烯中的帶隙工程;有機晶體管

5. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備;HfO2, Al2O3, Ta2O5

6. Precision TEM (美國加利福尼亞州圣克拉拉) - TEM 樣品制備;HfO2, Al2O3

7. 私人公司 TK (Private Company TK) (日本宮城縣) - TEM 樣品制備

8. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備;HfO2, Al2O3, Ta2O5

9. 東京大學 (University of Tokyo) (日本) – * ALD 工藝

10. 東京大學 (University of Tokyo) – 日本東京 – Dr. Onaya

11. 泛林集團 (LAM Research) – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁 (Tualatin)

12. 泛林集團 (LAM) 系統 #2 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁

13. 泛林集團 (LAM) 系統 #3 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁

14. 牛津大學 (University of Oxford) – 英國牛津 - Prof Sebastian Bonilla

15. 德島大學 (Tokushima University) (日本)

16. 赫爾辛基大學 (University of Helsinki) (芬蘭) Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen

17. 應用材料公司 (AMAT - Applied Materials) – 美國

18. 牛津大學 (University of Oxford) (英國牛津)









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