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硅片、單晶硅
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更新時間:2025-07-29 17:09:31瀏覽次數:78

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【簡單介紹】
供貨周期 一周 應用領域 電子/電池,綜合
硅片、單晶硅,用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導體光刻
【詳細說明】

 硅片、單晶硅,各個尺寸。用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導體光刻。

 

硅片是現代電子工業的基礎材料,作為半導體器件的載體,它支撐著從消費電子到超級計算、從通信技術到人工智能的整個數字化世界。這種由高純度單晶硅制成的圓形薄片,看似簡單,卻是芯片制造的關鍵起點,決定著集成電路的性能與效率。

硅片的制造過程體現了現代工業的精度。首先,冶金級硅(純度約98%)經過化學提純,轉化為三氯氫硅(SiHCl?),再通過還原反應得到多晶硅,純度可達99.9999999%(9N級)。隨后,采用直拉法(Czochralski法)或區熔法(Float-Zone法)生長出晶格結構的單晶硅棒。硅棒經過精密切割、研磨、拋光后,形成厚度不足1毫米、表面粗糙度在納米級別的硅片。

在芯片制造過程中,硅片作為基底材料,經過光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積等數百道復雜工序,最終形成包含數十億晶體管的集成電路。硅片的純度、晶格完整性及表面平整度直接影響芯片的良率和性能。目前,主流硅片尺寸為300mm(12英寸),可大幅提升生產效率,而450mm(18英寸)硅片的研發也在推進中,以適應未來半導體工業的需求。

隨著摩爾定律的持續推進,硅片技術也在不斷創新。除了傳統體硅片外,SOI(絕緣體上硅)硅片、應變硅(Strained Silicon)等新型材料被廣泛采用,以提高晶體管的開關速度和能效比。此外,第三代半導體材料(如碳化硅、氮化鎵)雖在部分領域嶄露頭角,但硅片憑借成熟的產業鏈和成本優勢,仍將在未來幾十年內保持主導地位。

硅片雖小,卻是信息時代的基石。從計算機到智能手機,從數據中心到自動駕駛,硅片技術的進步持續推動著人類文明的數字化進程。未來,隨著半導體工藝的不斷突破,硅片仍將是科技創新的核心驅動力

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