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邁可諾技術有限公司

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[供應]AT-610-原子層沉積Atomic layer deposition
AT-610-原子層沉積Atomic layer deposition
貨物所在地:
北京北京市
產地:
美國
更新時間:
2025-03-11 15:59:36
有效期:
2024年11月11日--2026年3月11日
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188
【簡單介紹】原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中,新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的,這種方式使每次反應只沉積一層原子。
【詳細說明】

一、技術參數:

1.腔體材質:全鋁鋁質腔體;

2.樣品臺尺寸:處理最大直徑6英寸樣品;

3.基片加熱溫度:室溫~315℃±1℃;

4.液體源:一路高蒸氣壓液體氧化劑(H2O或H2O2),3路固體或液體金屬源;

5.可變過程壓力控制0.1至1.5Torr;

6.ALD閥:Swagelok快速高溫ALD專用閥;

7.載氣系統:N2,壓力30Psi;

8.生長模式:連續和停留沉積模式任意選擇;

9.控制系統:16位7英寸彩色觸摸屏PLC操作控制;

10.4個世偉洛克熱敏ALD閥門;

11.5個高溫劑量容積填充閥;

12.帶輔助彎頭加熱器的保形加熱套,操作溫度室溫至150℃;

13.帶閥門的50ccSS前體瓶,波紋管密封高溫兼容閥;

14.Fujikin金屬密封,200sccmMFC流量質量控制器,用于N2或Ar吹掃流量控制;

15.基于雙溫探頭的腔室加熱器控制系統和探頭故障保險;

16.OEM 2級旋轉葉片泵,抽速18 cfm,極限真空3mtorr,包括Flomblin用于PFPE油;

 

二、技術特點

精準控制:薄膜厚度可精確至亞納米級(0.1 ?/cycle),重復性誤差<1%。

高均勻性:在復雜3D結構(如納米線、多孔材料)表面實現均勻覆蓋。

低溫工藝:部分機型支持室溫至300℃以上,范圍沉積,兼容熱敏感基材(如聚合物、生物材料)。

前驅體兼容性:支持金屬有機化合物、鹵化物、等離子體增強(PEALD)等多種反應模式。

原位監測:集成石英晶體微天平(QCM)、橢偏儀或光學反射儀,實時監控薄膜生長。

 

三、應用領域

半導體制造:高介電材料(HfO?、Al?O?)、晶體管柵極、DRAM電容薄膜。

新能源:鋰離子電池電極包覆層、燃料電池催化劑涂層。

光電子器件:OLED封裝層、光伏器件鈍化層。

納米技術:量子點涂層、MEMS器件防水/防腐蝕膜。

生物醫療:生物傳感器表面功能化、植入器械抗菌涂層。

 

四、目前可以沉積的材料包括:

1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN

3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2

4)金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni

5)碳化物: TiC, NbC, TaC  

6)復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx

7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS

目前可以沉積的材料包括:

1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...  

3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

4)金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...  

5)碳化物: TiC, NbC, TaC, ...  

6)復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...  

7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...




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