目錄:鄭州成越科學儀器有限公司>>電子束，激光鍍膜儀>> CY-EVP500-EB離子源電子束蒸發鍍膜儀
該電子束蒸發方式鍍膜儀，主要用于制備各種導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜，微納器件微加工，電鏡樣品預處理等，尤其適用蒸鍍各種難熔金屬材料。不僅可用于玻璃片、硅片等硬質襯底，也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性襯底上鍍膜。
電子束蒸發鍍膜儀設備技術參數
| 使用條件 | 環境溫度 | 5℃～40℃ |
| 電源 | 380V | |
| 功率 | ≤20KW | |
| 水壓 | ≤2.5bar | |
| 真空室尺寸 | 蒸發室尺寸 | φ500×H500(㎜) |
| 過渡倉庫 | φ280×H300(㎜) | |
| 電子槍 | 新型電子槍1套，6穴坩堝 | |
| 離子源 | 考夫曼離子源K08一套 | |
| 樣品轉盤 | 樣品尺寸：≤φ150mm，樣品可旋轉，也可上下升降調節樣品到電子槍距離(樣品托形狀按用戶要求設計),加熱溫度≤500℃ | |
| 系統真空度 | 極限真空 | 經12～24小時烘烤，連續抽氣≤5x10-5Pa |
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| 抽氣速率 | 從大氣開始40分鐘內真空度≤5x10-4Pa |
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| 系統漏率 | 整機漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵關機12小時后，測量真空室真空度≤10Pa |
| 抽真空系統 | TY1200分子泵+機械泵(VRD-30)系統，并設置旁路抽氣 | |
| 鍍膜監測 | 采用TM160膜厚儀進行監測 | |
| 鍍膜厚度的不均勻度 | ≤3% | |
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