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目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>PECVD氣相沉積系統(tǒng)>> CY-PEALD-150RPEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)

PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)

  • PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)
  • PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)
  • PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 CYKY
  • 型號(hào) CY-PEALD-150R
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 鄭州市
屬性

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更新時(shí)間:2025-07-31 10:46:55瀏覽次數(shù):47評(píng)價(jià)

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等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)系統(tǒng)是一種的薄膜沉積技術(shù),結(jié)合了等離子體和原子層沉積(ALD)的優(yōu)點(diǎn),以實(shí)現(xiàn)更高的薄膜質(zhì)量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。PEALD系統(tǒng)在微電子、光電器件、表面工程等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用

等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)系統(tǒng)是一種的薄膜沉積技術(shù),結(jié)合了等離子體和原子層沉積(ALD)的優(yōu)點(diǎn),以實(shí)現(xiàn)更高的薄膜質(zhì)量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。PEALD系統(tǒng)在微電子、光電器件、表面工程等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。

產(chǎn)品特點(diǎn): 

1.等離子體增強(qiáng)反應(yīng):

PEALD系統(tǒng)通過引入等離子體來激發(fā)反應(yīng)氣體,使得在較低溫度下即可實(shí)現(xiàn)薄膜的沉積。這使得PEALD系統(tǒng)特別適合用于沉積對(duì)溫度敏感的材料,如有機(jī)物或柔性基板上的薄膜。 

2.更高的薄膜密度與純度:

由于等離子體能夠提供高能量的反應(yīng)物質(zhì),PEALD系統(tǒng)可以在較低溫度下沉積出高密度、高純度的薄膜,減少了薄膜中的缺陷和雜質(zhì)。 

3.優(yōu)異的膜厚均勻性:

PEALD保留了傳統(tǒng)ALD的優(yōu)勢(shì),能夠在復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和高縱橫比的基板上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜覆蓋,這在器件微縮和納米結(jié)構(gòu)制造中尤為重要。 

4.靈活的工藝控制:

PEALD系統(tǒng)允許獨(dú)立控制等離子體生成和ALD前驅(qū)體脈沖的時(shí)間,提供了極大的工藝靈活性。通過調(diào)節(jié)等離子體功率、時(shí)間和氣體流量,可以優(yōu)化不同材料的沉積條件。 

5.廣泛的材料兼容性:

PEALD系統(tǒng)適用于沉積各種材料,包括氧化物、氮化物、硫化物、金屬等,特別適合沉積氮化硅(SiNx)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)等材料。 

6.低溫沉積:

與傳統(tǒng)的熱ALD系統(tǒng)相比,PEALD能夠在較低溫度下沉積高質(zhì)量的薄膜,這對(duì)于在溫度敏感基板(如聚合物基板)上的應(yīng)用至關(guān)重要。


技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

CY-PEALD-150R

反應(yīng)腔

可以生長(zhǎng)*大 6 英寸樣品的標(biāo)準(zhǔn)腔體,標(biāo)準(zhǔn)*大樣品高度 6mm;(超高樣品選件可按用戶要求定制,為可選件),DualOTM 氮?dú)獗Wo(hù)的雙O-Ring 高溫密封系統(tǒng),隔絕其他氣體滲漏。基底加熱溫度 RT-400℃可控,控制精度±1℃;腔體烘烤溫度 RT-200℃可控,控制精度±1

沉積模式

包括以下 3 種工作模式:

高速沉積的連續(xù)模式 TM Flow TM

沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式TMStopFlow TM

等離子體增強(qiáng)模式

前驅(qū)體源

5 路前驅(qū)體源;1 路為常溫源,4 路為加熱源,加熱溫度 RT-200℃可控,控制精度±1℃;加熱源配備高溫手動(dòng)閥;標(biāo)準(zhǔn)前驅(qū)體源瓶體積 50cc

1 路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S 源等,制備氧化物,氮化物和硫化物。任意一路加熱源可接相關(guān)前驅(qū)體源。

前驅(qū)體管路

所有前驅(qū)體管路全部采用 316L 不銹鋼 EP 級(jí)管路,所有管路加熱溫度RT-150℃可控。

ALD

每一路前驅(qū)體配置一個(gè)原子層沉積專用高速高溫 ALD 閥;ALD 閥采用系統(tǒng)集成的表面安裝,維修更換時(shí)可以用盲板代替;閥體加熱溫度RT-150℃可控

真空規(guī)

進(jìn)口寬范圍真空規(guī),測(cè)量范圍 2x10-4 to 103torr

排氣管路

排氣管路加熱溫度 RT-150℃可控;配置截止閥一個(gè),加熱溫度 RT-150℃可控。

臭氧發(fā)生器系統(tǒng)

高濃度臭氧發(fā)生器,包括管路,裂解器附件;*高產(chǎn)量>15g/h,功率0~300W可調(diào),*大濃度>3.5%(w/w)

選配微波等

離子體系統(tǒng)

自動(dòng)匹配微波等離子體源系統(tǒng);

包括:微波電源輸出功率 0 200W 可調(diào);超快速等離子體發(fā)生器*短可在 200ms 內(nèi)完成穩(wěn)定的等離子啟輝;

2路等離子體源, 一路為Ar配備質(zhì)量流量計(jì)(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體脈沖供氣,可任意切換。

控制硬件

PLC 控制系統(tǒng)。

控制軟件

autoALDTM專用軟件全自動(dòng)控制加熱、流量、等全部沉積過程,以及溫度、壓強(qiáng)等實(shí)時(shí)監(jiān)控。

真空機(jī)械泵

型號(hào):TRP-6

保修

1 年免費(fèi)保修,自驗(yàn)收之日起。

安裝培訓(xùn)

工程師現(xiàn)場(chǎng)安裝培訓(xùn)。

 

主要部件:

部件名稱

部件說明

主機(jī)

標(biāo)準(zhǔn)6 英寸原子層沉積系統(tǒng)

包括:

5路前驅(qū)體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶,

4路為加熱源,1路為常溫源

沉積自動(dòng)控制系統(tǒng),

autoALDTM沉積程序控制軟件,

預(yù)裝Windows TM的筆記本電腦,

臭氧發(fā)生器系統(tǒng)

高濃度臭氧發(fā)生器,包括管路,裂解器附件*高產(chǎn)量>15g/h,*大濃度>3.5%(w/w)

選配微波等離子

體系統(tǒng)

自動(dòng)匹配微波等離子體源系統(tǒng);

包括:微波電源輸出功率 0 200W 可調(diào);超快速等離子體發(fā)生器*短可在 200ms 內(nèi)完成穩(wěn)定的等離子啟輝;

2路等離子體源, 一路為Ar配備質(zhì)量流量計(jì)(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體脈沖供氣,可任意切

換。 

真空機(jī)械泵系統(tǒng)

機(jī)械泵與相關(guān)管路

真空機(jī)械泵型號(hào):北儀優(yōu)成 TRP-6

 

應(yīng)用領(lǐng)域: 

1. 半導(dǎo)體制造

k電介質(zhì)和金屬柵極:PEALD用于在晶體管中沉積高k材料(如HfO?、ZrO?),以及金屬柵極材料(如TiN),以提高器件性能,減少漏電流。

銅互連阻擋層和襯墊層:PEALD可以沉積低溫、高質(zhì)量的阻擋層(如TiNTaN),用于防止銅在互連結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散。

鈍化層:在集成電路和其他微電子器件中,沉積鈍化層以保護(hù)器件表面免受外界環(huán)境的影響,延長(zhǎng)器件壽命。

2. 光電器件

太陽能電池:PEALD在薄膜太陽能電池(如CIGSCdTe、硅基太陽能電池)中沉積鈍化層或緩沖層(如Al?O?、ZnO),以提高光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

LEDOLED:用于發(fā)光二極管(LED)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中沉積透明導(dǎo)電氧化物(如ZnOSnO?)或緩沖層,以提升發(fā)光效率和壽命。

3. 納米技術(shù)

納米結(jié)構(gòu)涂層:PEALD可以在復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)(如納米線、納米管、量子點(diǎn))上沉積均勻的薄膜,用于調(diào)控其電學(xué)、光學(xué)和機(jī)械性能。

納米器件制造:在制造納米級(jí)別的電子和光子器件中,PEALD提供了**的材料厚度控制,適合制作超薄的功能性層。

4. 表面工程和防護(hù)涂層

抗腐蝕涂層:在金屬表面沉積抗腐蝕涂層(如Al?O?、TiO?),用于提高材料在腐蝕性環(huán)境中的耐久性,廣泛應(yīng)用于航空航天、化工設(shè)備等領(lǐng)域。

生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用:在植入物和其他生物醫(yī)學(xué)器械上沉積生物相容性涂層,改善植入物與人體組織的相容性,減少排斥反應(yīng)。

5. 柔性電子

柔性顯示屏:PEALD在低溫下沉積高性能的薄膜,用于柔性顯示屏(如OLED、電子紙)中的電極或保護(hù)層。

可穿戴設(shè)備:用于沉積薄膜保護(hù)層或功能層,以增強(qiáng)柔性和可穿戴設(shè)備的耐用性和性能。

6. 能源存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)換

鋰離子電池:PEALD在電極材料(如LiCoO?、LiNiMnCoO?)和電解質(zhì)界面沉積保護(hù)層,以延長(zhǎng)電池壽命并提升充放電性能。

燃料電池和超級(jí)電容器:用于沉積催化劑層和保護(hù)層,提升燃料電池的效率和超級(jí)電容器的能量密度。

7. 傳感器技術(shù)

氣體傳感器:在傳感器的活性層或敏感層上沉積功能性薄膜(如ZnOTiO?),以提高傳感器對(duì)特定氣體的檢測(cè)靈敏度和選擇性。

生物傳感器:用于沉積功能性薄膜,增強(qiáng)生物傳感器對(duì)目標(biāo)分子的識(shí)別和檢測(cè)能力。

8. 光學(xué)元件

抗反射涂層:在光學(xué)元件上沉積抗反射涂層(如SiO?、Al?O?),以減少光損失并提高透過率,廣泛應(yīng)用于光學(xué)儀器、攝像設(shè)備等。

濾光片和鏡頭:PEALD可以沉積**控制厚度的薄膜,用于制作濾光片、反射鏡等光學(xué)元件。

9. 顯示技術(shù)

薄膜晶體管(TFT):用于在液晶顯示器(LCD)、OLED顯示器中制造薄膜晶體管,提升顯示器的分辨率和性能。

觸摸屏技術(shù):在觸摸屏中,沉積透明導(dǎo)電薄膜(如ITOZnO),提高觸摸屏的導(dǎo)電性和耐用性。

應(yīng)用案例(在PET膜上沉積SiO2): 

在PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜上使用等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)技術(shù)沉積二氧化硅(SiO?)的步驟需要特別注意溫度控制和等離子體條件,以確保對(duì)PET這種溫度敏感材料的保護(hù)


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