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美國Prostat PFM-711B靜電場計技術參數2024/7/9
使用斬波穩定傳感器PFM-711B是一款精確的便攜式靜電場測量設備,易于使用,專為單手操作而設計。PFM-711B是一種數字電子斬波器設計,允許儀器在存在電離空氣的區域進行靜電場測量。PFM-711B...
100C-UAE 熱功率激光探頭技術參數2024/7/9
100C-UAE熱功率激光探頭描述:100C-UAE是一款14.5mm厚的功率激光探頭,配備安裝螺紋和18mm孔徑。獨立安裝時,測量范圍從60mW到4W,加熱沉時,為100W。具有光譜響應響應平坦的寬...
IS1.5-VIS-FPD-800 7Z02491高精度光電探頭技術參數2024/7/9
IS1.5-VIS-FPD-8007Z02491高精度光電探頭技術參數IS1.5-VIS-FPD-8007Z02491高精度光電探頭描述:IS1.5-IRG-FPD-800在單個積分球設備中提供了多種...
TSI 3088氣溶膠中和器 技術參數2024/7/8
TSI3088氣溶膠中和器氣溶膠中和是氣溶膠科學和工程的重要組成部分。中和氣溶膠顆粒可以減少管道內或其他表面顆粒的靜電損失。在使用基于電動流動性的尺寸儀時,中和對于收集可靠的粒度數據也是至關重要的。3...
瑞士Metrolab 1426薄核磁共振脈沖波探頭技術參數2024/7/8
瑞士Metrolab1426薄核磁共振脈沖波探頭詳細1426型探頭專為PT2026NMR精密特斯拉計而設計,利用脈沖波檢測原理提供精度。新型“1.5毫米厚遠程測量頭”外形適合小間隙,是高輻射環境的理想...
TEGAM標準功率計1830A 技術參數2024/7/8
TEGAM標準功率計1830A兼容TEGAM小功率校準系統、中大功率較準系統校準功率計和其他信號源的50MHz參考輸出配合功率傳遞標準進行最高到50GHz的傳感器校準;以及250W或2000W的傳感器...
trinnov Altitude32處理器 技術參數2024/7/8
突破性的Altitude32處理器設置了很高的標準——我們沒有降低Altitude16的標準。Altitude16提供了與Altitude32處理器相同的處理能力和音質,使Trinnov的*性能能夠為...
NEUGART 減速機PLQE120-160-SS 技術參數2024/7/8
我們的PLQE簡單而強大。它可以直接連接到您的設備,而不需要中間法蘭。輸出上較大的深溝球軸承允許吸收更高的軸向力和徑向力。由于其良好的效率,這意味著即使在生產周期要求很高的情況下,它也始終可靠地運行。...
ADL Embedded Solutions ADLEPC-1700技術參數2024/7/5
英特爾Atom處理器高達8GB的下焊LPDDR4尺寸:2.1英寸x4.6英寸x3.3英寸(54毫米x116毫米x85毫米)延長工作溫度:-40°C至+70°CADLEP-1700是一款堅固、緊湊的工業...
Diamond Systems OSB?ORIN32?FS?01 技術參數2024/7/5
Orin模塊的所有I/O功能和用于I/O擴展的眾多插槽從商業到工業,從機載到堅固的軍事用途尺寸:120x115毫米/4.7x4.5英寸工作溫度:-25°C至+80°COsbourne是NVIDIAJe...
ADLINK Technology cExpress-EL-x6413E技術參數2024/7/5
第6代IntelAtom處理器(前身為“ElkhartLake”)高達32GB雙通道DDR4IntelGen11LP圖形核心體系結構耐用工作溫度:-40°C至+85°CADLINKcExpressEL...
Diamond Systems Corporation JB?FLOYD?NAO?02技術參數2024/7/5
JB?FLOYD?NAO?01JetboxFLOYD基于FLOYDBB01全功能載板的完整Nano系統;包括模塊、操作系統和機柜JB?FLOYD?NAO?02JetboxFLOYD基于FLOYDBB0...
Floyd SC FLDSC-BB02 技術參數2024/7/5
FLDSC-BB01FloydSCJetsonNano低成本航母用于JetsonNX/TX2NX的FLDSC-BB02FloydSC全功能航母FLDSC?ASY?01?NAOFloydSC組件,安裝了...
Wilcoxon 傳感器 P702B 技術參數2024/7/4
單通道加速度計電源和放大器型號P702B加速度計電源和放大器,用于一個振動傳感器的速度集成,電池供電,帶可選線路適配器特征低噪音為單個IEPE加速度計供電,交流耦合輸出1X、10X、100X可選放大器...
Qorvo-UnitedSiC UF3C065080B3 技術參數2024/7/4
Qorvo的UF3C065080B3650V,80mohmRDS(on)SiCFET器件基于的級聯電路配置,其中常開SiCJFET與SiMOSFET共同封裝,以產生常關SiCFET設備。該器件的標準柵...

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