AT410 經濟型原子層沉積設備

AT410 經濟型原子層沉積設備具備諸多優勢：為占地小的桌面系統，尺寸明確；有新增功能可用的空心陰極射頻源（AT - 410 Plus 配 300W 等離子）；采用半導體級金屬密封管線、高溫兼容快速脈沖 ALD 閥、集成惰性氣體吹掃的超快 MFC；4 英寸圓卡盤可定制；支持 3 種特定有機金屬前體和一定數量反應物；有完整加熱管線；全鋁（半導體級）腔室有溫度范圍，卡盤可選更高溫度；配 7 英寸觸摸屏 PLC 控制器，無需 PC 。

特征

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• 占地面積小的桌面系統 （< 0.15m3 | 2.5 平方英尺）

• 高溫兼容快速脈沖 ALD 閥，帶有超快 MFC，用于集成惰性氣體吹掃。

• 4 英寸圓卡盤可針對較小尺寸或其他形狀（11 毫米高）進行定制。

• 3 種高達 180 °C 的有機金屬前體和 2 種（最多 3 種）反反應物。

• 整個加熱管線（從前體到腔室）。

• 高曝光（用于溝槽和多孔基材）和靜態處理模式

• 全鋁（半導體級）腔室 - 溫度范圍高達 320 °C

• 7 英寸觸摸屏 PLC 控制器（無需 PC）

• 包括終身軟件升級

• 1 年保修（包括零件）

規格

• 室溫從室溫到 320°C ± 1 °C;前驅體溫度從室溫到 180°C ± 2°C（帶加熱夾套）

• 市場上占地面積最小（2.5 平方英尺），臺式安裝和潔凈室兼容

• 系統維護簡單，公用事業和前體使用量在市場

• 流線型腔室設計和小腔室容積

• 快速循環能力（高達 1.2nm/min Al₂O₃）和高曝光、深穿透處理

• 完整的硬件和軟件聯鎖，即使在多用戶環境中也能安全運行

選項

• · 定制卡盤/壓板（方形、小件壓痕、批量）

• · 定制腔室（較厚的基板，例如：光學元件）

• · 新 可選卡盤至 450 + °C（咨詢我們）

• · ATOzone – 臭氧發生器（某些薄膜需要：Pt、Ir、SiO₂、MoO₂、60°C 以下的高質量 Al₂O₃、高質量 HfO₂）

• 可選 – 臭氧安全監測器，可實時檢測環境臭氧氣體

• · QCM（溫度補償石英晶體微量天平）

• · 手套箱集成（通常要求不將基材暴露在潮濕環境中;氮化物、硫化物等。

• · 外部控制 – PC/軟件鏈接（允許遠程編程和運行）

• · 通風前驅體柜

• · 備用室

• · IGPA（惰性氣體壓力輔助）用于低蒸氣壓前驅體

• · 第三反反應物

• 第三對反應物的軟件控制

安裝

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• 有關詳細說明，請參閱我們的演示和視頻說明：“AT410/610 安裝和啟動 "

• · N₂ 吹掃氣體應為 >99.9995%，帶截止閥（調節至 10 – 30 psi，金屬密封），。

• 輸入線是 1/4 母頭 VCR 壓縮接頭

• 通過 1/4 英寸金屬線將 99.9995% 氮氣 （UHP） 吹掃氣體>背面的 1/4 英寸壓縮接頭連接起來

• · 通過 90/110 英寸聚乙烯管或金屬線將 1-4 psi CDA（清潔干燥空氣）連接到另一個標有 · · CDA（清潔干燥空氣）的 1/4 英寸壓縮接頭

• · 最小 12cfm 濕泵（**需要 PTFE 真空流體（如 Fomblin）（610 和 810 使用更大的泵，通常為 19.5 cfm 或更高）

• NW25 （KF25） （1“） 連接和排氣管（帶 5cfm >拉）

• 大于 1 米應使用 NW40 （1.5“） 排氣管

• · 前體通過內螺紋 VCR 彎頭連接（始終使用新墊圈）。

•     彎頭：1/4“ 墊圈先（戴手套）

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• 有關前驅體連接，請參閱 AT410/610 安裝和啟動。

軟件

有關詳細說明，請參閱我們的演示和視頻說明：“AT410_610 安裝和啟動 "

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• · 輸入子周期和總周期

• · 人機界面 （HMI） PLC 系統，帶 7 英寸觸摸屏

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  面板

• · 適用于標準 ALD 循環沉積的高級控制，如
  · 以及例如納米層壓板、摻雜薄膜和三元薄膜

• · 用于高質量、經過測試的工藝的配方數據庫

• · 自定義配方輸入屏幕

• · 實時顯示工藝狀態

• · 可單獨編程的加熱源溫度

• · 用于三元化合物和納米層壓板的內置脈沖序列

• · 快速運行，簡單的問題讓用戶開始