替代RU6099應用16串增強型mos管工藝
RU6099在早期的研究中，人們把Trench MOS研究的焦點集中在擊穿電壓在50V以下的應用上。主要關注Trench MOS的特征導通電阻。通過增加單胞密度，縮短溝道長度，降低閾值電壓等方法使得Trench MOS的源漏RpsON最小。1989年30V傳統Trench MOS(阻下簡稱LIMOS)原胞密度可以做到1000uΩ.c㎡,1991年傳統UMOS就得到了長足的發展，50V耐壓下原胞密度能達到580uΩ.c㎡7.隨著Trench MOS越來越廣泛的應用。柵電容也逐漸成為人們關注的又一個焦點。由于柵電容直接關系到器件的開關速度，許多高頻的應用希望Trench MOS的電容越低越好。但是，柵電容是隨著單胞密度的增加而增加，所以它和器件的特征導通電阻是矛盾的。于是接著，許多研究就開始集中在RDSON和Qgd乘積Fom值上。

RU6099后道生產主要指封裝測試，把晶粒制造成我們平時所看到的樣式. 當產品封裝完畢后，需要再次通過測試來驗證產品的電性能，確保成品能夠符合產品規格. 由于這次測試屬于后道生產的個流程，也是整個生產流程的，所以被稱為最終測試， 即Final Test。

例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。

要注意以下幾個點：

1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。

5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代RU6099應用16串增強型mos管封裝
RU6099PGA封裝樣式
RU6099其芯片基板多數為陶瓷材質，也有部分采用特制的塑料樹脂來做基板，在工藝上，引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64到447不等。
RU6099這種封裝的特點是，封裝面積（體積）越小，能夠承受的功耗（性能）就越低，反之則越高。這種封裝形式芯片在早期比較多見，且多用于CPU等大功耗產品的封裝，如英特爾的80486、Pentium均采用此封裝樣式；不大為MOS管廠家所采納。



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