替代K3919應用4串n mos管工藝
K3919盡管上述RSO MOSFET和VLMOS結構有效降低了柵漏電容Cgd,但仍然存在柵漏極正對面積。為進一步減小柵漏極電容，Gajda和Goarin等人在RSO結構的基礎上提出了分裂柵極RSO MOS（split-gate RSO MOS)5),這種結構通過極間氧化物

（Inter Poly Oxide,IPO)將RSO MOS的多晶柵極分割為控制柵極與屏蔽柵極兩部分且后者與源極相接，通過屏蔽柵極作為場板保留了RSO MOS漂移區的RESURF結構，且幾乎消除了柵漏極的正對面積，極大的減小了柵漏電容及電荷，提高了器件的開關特性。split-gate RSO MOS是SGT MOSFET的結構原形，為SGT MOSFET的改進和發展奠定了基礎。RSO MOS和VLMOS及 split-gate RSO MOS的結構。

K3919芯片封裝首先，將切割好的晶片用膠水貼裝到框架襯墊（Substrate）上；其次，利用超細的金屬導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤連接到框架襯墊的引腳，使晶片與外部電路相連，構成特定規格的集成電路芯片（Bin）；最后對獨立的芯片用塑料外殼加以封裝保護，以保護芯片元件免受外力損壞。塑封之后，還要進行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋（Trim）、成型（Form）和電鍍（Plating）等工藝。

例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。

要注意以下幾個點：

1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。

5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代K3919應用4串n mos管封裝
K3919插針網格陣列封裝（PGA）
K3919PGA（Pin Grid Array Package）芯片內外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列，根據管腳數目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時，將芯片插入專門的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優勢，能適應更高的頻率。



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