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可控硅模塊全動態(tài)測試儀

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 西安智盈電氣科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 產(chǎn)地 西安市西咸新區(qū)中興深藍科技產(chǎn)業(yè)園
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/8/16 10:05:21
  • 訪問次數(shù) 232

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西安智盈電氣科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導體測試設備自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務

坐落于陜西省西安市高新區(qū)。

核心業(yè)務為半導體功率器件測試設備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:

IGBT參數(shù)測試設備, MOSFET參數(shù)測試設備, 可控硅參數(shù)測試設備

靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGSS / BVR / VDSSat / IDSS / VGSTH / VF / RDSon);動態(tài)參數(shù)(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);雪崩能力測試,老化及可靠性測試(HTRB / HTGB)。

IGBT參數(shù)測試設備:

靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE);動態(tài)參數(shù)(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);老化及可靠性測試(HTRB / HTGB)。

二極管及可控硅/晶閘管(SCR)參數(shù)測試設備:

靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL );動態(tài)參數(shù)測試(Turn_on&off / Qrr_FRD);浪涌參數(shù)測試ITSMdi/dt測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試Rth

產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等。




IGBT測試儀,靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGSS / BVR / VDS(Sat) / IDSS / VGSTH / VF / RDS(on));動態(tài)參數(shù)(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg /

價格區(qū)間 10萬-30萬 應用領域 電氣

全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。
全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,已被國內(nèi)廣大用戶所接受。
本試驗臺可對器件的室溫特性及正向壓降等幾個參數(shù)進行測試,試驗臺在試驗時,可根據(jù)需要對試驗時間進行設定,試驗臺有平均漏電流顯示,并具有保護功能。

動態(tài)測試的技術指標:
1)平均電流ITAV:
低檔:約20—50A 精度±5% 分辨率1A
高檔: 約50—300A 精度±5% 分辨率1A
指針表顯示
電流波形為近似正選半波,導通角170°左右
阻斷電壓波形為底寬10mS的正弦半波
電流調(diào)節(jié):手動調(diào)壓器
2)平均壓降:VTAV=0.1—2.5V
精度±3% 分辨率0.01 V
指針表顯示
3)正反向不重復峰值電壓:200—3000V
精度±5% 分辨率10V
4)正反向峰值漏電流IDRM、IRRM:0.1-20 mA
精度±3%,分辨率0.01
保護漏電流1-20 mA
峰值阻斷電壓、電流為數(shù)字表顯示
阻斷電壓為手動調(diào)節(jié)
5)測試頻率:50HZ
6)伏安特性具有過流保護及過流指示。
7)電源主電路開關器件采用水冷卻,***動態(tài)考核的準確性。
8)連接被測方式:手動連接









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